| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题的研究背景 | 第7页 |
| ·eFuse 技术概述 | 第7-8页 |
| ·eFuse 技术与?-Fuse 技术的比较 | 第8-9页 |
| ·eFuse 的前景 | 第9页 |
| ·6511m 工艺特点 | 第9-11页 |
| ·本文工作及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 eFuse 原理 | 第13-27页 |
| ·多晶硅熔丝 | 第13-14页 |
| ·多晶硅熔丝的基本结构 | 第13-14页 |
| ·多晶硅熔丝的电学特性 | 第14页 |
| ·多晶硅熔丝的可靠性分析 | 第14-21页 |
| ·电迁移 | 第15页 |
| ·掺杂 | 第15-17页 |
| ·形状 | 第17-18页 |
| ·编程机制 | 第18-20页 |
| ·本项目中的多晶硅熔丝 | 第20-21页 |
| ·eFuse 存储单元 | 第21-23页 |
| ·存储单元写模式 | 第22页 |
| ·存储单元读模式 | 第22-23页 |
| ·灵敏放大器 | 第23-24页 |
| ·改进的读模式电路 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第三章 基于6511m 工艺的2568it eFuse 的设计 | 第27-43页 |
| ·eFuse 整体结构及仿真环境 | 第27-28页 |
| ·eFuse 整体结构 | 第27-28页 |
| ·仿真环境 | 第28页 |
| ·eFuse cell | 第28-34页 |
| ·eFuse 存储单元 | 第28-33页 |
| ·eFuse 单元阵列 | 第33-34页 |
| ·读/写控制单元 | 第34-36页 |
| ·时钟同步电路 | 第34-35页 |
| ·上升沿检测电路 | 第35-36页 |
| ·读写单元 | 第36-39页 |
| ·时分复用读写单元 | 第36-38页 |
| ·读时序单元 | 第38-39页 |
| ·top 电路仿真 | 第39-40页 |
| ·写模式仿真 | 第39页 |
| ·读模式仿真 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-43页 |
| 第四章 版图设计 | 第43-51页 |
| ·DFM （Design For Manufacture，可制造设计） | 第43-44页 |
| ·版图设计 | 第44-48页 |
| ·小结 | 第48-51页 |
| 第五章 测试结果 | 第51-57页 |
| ·Pre-read 测试 | 第51-52页 |
| ·Post-read 测试 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |