| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·基准源电路的研究意义和价值 | 第7-8页 |
| ·基准源发展历史、现状与趋势 | 第8-10页 |
| ·本文的主要内容 | 第10-13页 |
| 第二章 基准源电路的工作原理及性能分析 | 第13-25页 |
| ·带隙基准源的工作原理 | 第13-16页 |
| ·VBE的负温度系数特性 | 第13-14页 |
| ·?VBE的正温度系数特性 | 第14-15页 |
| ·带隙基准电压的产生 | 第15-16页 |
| ·传统带隙基准源的电路结构 | 第16-20页 |
| ·Widlar带隙基准源 | 第16-17页 |
| ·Kujik带隙基准源 | 第17-18页 |
| ·Brokaw带隙基准源 | 第18-19页 |
| ·CMOS带隙基准源 | 第19-20页 |
| ·低压低功耗带隙基准源的电路结构 | 第20-22页 |
| ·电流求和带隙基准源 | 第20-21页 |
| ·使用DTMOS（动态阈值电压MOS管）的带隙基准 | 第21-22页 |
| ·基准源的主要性能参数 | 第22-25页 |
| 第三章 基准源高阶补偿策略 | 第25-33页 |
| ·VBE的高阶温度特性 | 第25-26页 |
| ·常见高阶温度补偿策略 | 第26-33页 |
| ·VBE线性化法 | 第26-27页 |
| ·利用电阻的温度特性法 | 第27-29页 |
| ·指数曲率法 | 第29-30页 |
| ·分段线性补偿法 | 第30页 |
| ·性能比较 | 第30-33页 |
| 第四章 高阶温度补偿低压基准电压源设计 | 第33-53页 |
| ·电路结构设计 | 第33-35页 |
| ·核心电路参数设计 | 第35-37页 |
| ·运算放大器设计 | 第37-43页 |
| ·运放对带隙基准性能的影响 | 第37-40页 |
| ·运放结构的选择与设计 | 第40-43页 |
| ·启动电路设计 | 第43-45页 |
| ·整体电路仿真 | 第45-47页 |
| ·高阶温度补偿改进 | 第47-53页 |
| ·利用电阻的温度特性法 | 第47-49页 |
| ·VBE线性化法 | 第49-53页 |
| 第五章 版图设计与误差分析 | 第53-61页 |
| ·版图设计的基本考虑 | 第53-56页 |
| ·匹配性设计 | 第53-55页 |
| ·耦合的影响 | 第55-56页 |
| ·寄生参数 | 第56页 |
| ·版图设计与误差分析误差分析 | 第56-61页 |
| ·电流镜版图的设计 | 第56-58页 |
| ·三极管版图的设计 | 第58页 |
| ·电阻版图的设计 | 第58-59页 |
| ·带隙整体电路的版图 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 在读期间研究成果 | 第67-68页 |