| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 硅基光交换芯片的基本开关单元结构 | 第15-18页 |
| 1.3 硅基光交换芯片的基本拓扑结构 | 第18-20页 |
| 1.4 硅基光交换芯片的工作方式 | 第20-21页 |
| 1.5 硅基光交换芯片的性能参数 | 第21-24页 |
| 1.6 本文的研究内容及创新点 | 第24-26页 |
| 第二章 硅基光交换芯片的串扰理论分析模型 | 第26-38页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 硅基光交换芯片的串扰产生机理 | 第26-32页 |
| 2.2.1 MRR开关单元的串扰产生机理 | 第26-29页 |
| 2.2.2 MZI开关单元的串扰产生机理 | 第29-32页 |
| 2.3 硅基光交换芯片的串扰分析模型 | 第32-37页 |
| 2.3.1 硅基光交换芯片中的串扰种类 | 第32-33页 |
| 2.3.2 硅基光交换芯片串扰分析模型的构建 | 第33-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 硅基光交换芯片开关单元的设计 | 第38-68页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 基于MZI结构的2×2光开关单元的设计 | 第38-53页 |
| 3.2.1 光开关单元波导材料的确定 | 第38-39页 |
| 3.2.2 硅基SOI波导结构参数的设计 | 第39-43页 |
| 3.2.3 3dB耦合器的设计和优化 | 第43-50页 |
| 3.2.4 2×2 MZI开关单元的设计 | 第50-53页 |
| 3.3 基于MRR结构的2×2光开关单元的设计 | 第53-57页 |
| 3.3.1 2×2 SRMZI光开关单元的设计 | 第54-55页 |
| 3.3.2 2×2 SRMZI光开关单元的传输性能仿真 | 第55-57页 |
| 3.4 硅基光交换芯片的加工版图制作 | 第57-59页 |
| 3.5 光开关单元的静态特性测试 | 第59-64页 |
| 3.5.1 3dB-MMI的频谱响应测试 | 第60-62页 |
| 3.5.2 2×2 MZI开关单元的频谱响应测试 | 第62-63页 |
| 3.5.3 2×2 SRMZI开关单元的频谱响应测试 | 第63-64页 |
| 3.6 光开关单元的动态特性测试 | 第64-65页 |
| 3.7 光开关单元的可扩展性能评估 | 第65-66页 |
| 3.8 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 硅基光交换芯片的系统测试与性能评估 | 第68-92页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 硅基光交换芯片的初始状态确定 | 第68-76页 |
| 4.2.1 基于MZI结构的硅基光交换芯片的初始状态确定 | 第69-73页 |
| 4.2.2 基于MRR结构的硅基光交换芯片的初始状态确定 | 第73-76页 |
| 4.3 基于MZI结构的4×4硅基光交换芯片的系统测试 | 第76-86页 |
| 4.3.1 硅基光交换芯片NIN驱动电压的确定 | 第77-79页 |
| 4.3.2 光交换芯片在NIN驱动电压下的静态特性测试 | 第79-80页 |
| 4.3.3 硅基光交换芯片PIN驱动电压的确定 | 第80页 |
| 4.3.4 硅基光交换芯片的交换性能实验 | 第80-86页 |
| 4.4 16×16光交换芯片的性能评估 | 第86-91页 |
| 4.4.1 16×16光交换芯片的插入损耗性能评估 | 第86-88页 |
| 4.4.2 16×16光交换芯片的串扰性能评估 | 第88-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第92-93页 |
| 5.2 展望 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 | 第98-99页 |
