基于TSV的铜柱应力分析及结构优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstrate | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 焊点可靠性评价方法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 基于硅通孔技术的可靠性研究 | 第13-16页 |
| 1.3 本文研究主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 有限元分析方法及理论 | 第18-24页 |
| 2.1 热力学理论 | 第18-19页 |
| 2.2 结构力学理论 | 第19-20页 |
| 2.3 随机振动理论 | 第20-22页 |
| 2.3.1 模态分析理论 | 第21页 |
| 2.3.2 谱分析理论 | 第21-22页 |
| 2.4 有限元方法及ANSYS | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 建模及网格划分 | 第24-32页 |
| 3.1 模型的建立 | 第24-27页 |
| 3.1.1 ANSYS模拟相关设置 | 第24页 |
| 3.1.2 SIO2对TSV整体应力的影响 | 第24-25页 |
| 3.1.3 模型设计 | 第25-26页 |
| 3.1.4 模型工况 | 第26页 |
| 3.1.5 模型尺寸及参数 | 第26-27页 |
| 3.2 网格的建立 | 第27-29页 |
| 3.2.1 单元的选取 | 第27-28页 |
| 3.2.2 几何模型的网格划分 | 第28-29页 |
| 3.3 载荷的施加 | 第29-31页 |
| 3.3.1 约束条件设定 | 第29页 |
| 3.3.2 载荷工况 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 芯片发热模拟 | 第32-39页 |
| 4.1 温度场模拟结果 | 第32页 |
| 4.2 应力场模拟结果 | 第32-34页 |
| 4.3 芯片发热条件下铜柱结构优化设计及分析 | 第34-35页 |
| 4.4 正交试验分析 | 第35-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 热循环模拟 | 第39-47页 |
| 5.1 应力应变模拟结果 | 第39-42页 |
| 5.2 寿命预测 | 第42-43页 |
| 5.3 热循环条件下铜柱结构优化设计及分析 | 第43-44页 |
| 5.4 正交试验分析 | 第44-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第6章 振动模拟 | 第47-61页 |
| 6.1 模态分析 | 第47-50页 |
| 6.2 谱分析结果 | 第50-55页 |
| 6.2.1 X方向分析结果 | 第50-52页 |
| 6.2.2 Y方向分析结果 | 第52-54页 |
| 6.2.3 Z方向分析结果 | 第54-55页 |
| 6.3 随机振动的寿命预测 | 第55-60页 |
| 6.3.1 Mason高周期疲劳关系式 | 第55-57页 |
| 6.3.2 三区间法 | 第57-58页 |
| 6.3.3 累计损伤理论 | 第58-59页 |
| 6.3.4 PSD寿命分析基本过程 | 第59页 |
| 6.3.5 随机振动下模型的寿命计算 | 第59-60页 |
| 6.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
