| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第17-41页 |
| 1.1 引言 | 第17-19页 |
| 1.2 集成电路制造光刻工艺简介 | 第19-25页 |
| 1.3 纳米级集成电路制造中的光学邻近效应 | 第25-27页 |
| 1.4 分辨率增强技术 | 第27-35页 |
| 1.5 纳米级集成电路的可制造性设计 | 第35-38页 |
| 1.6 论文的研究内容、创新点及结构 | 第38-39页 |
| 1.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 第2章 光学邻近校正技术和计算光刻技术 | 第41-57页 |
| 2.1 引言 | 第41-42页 |
| 2.2 光学成像系统建模 | 第42-48页 |
| 2.3 光学邻近校正技术 | 第48-51页 |
| 2.4 计算光刻技术的数学描述 | 第51-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 基于水平集的计算光刻算法与掩模可制造性优化 | 第57-75页 |
| 3.1 引言 | 第57-60页 |
| 3.2 水平集方法的基本理论 | 第60-64页 |
| 3.3 基于水平集的计算光刻算法 | 第64-66页 |
| 3.4 掩模的可制造性优化 | 第66-69页 |
| 3.5 实验结果和比较 | 第69-74页 |
| 3.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 增强工艺鲁棒性的水平集计算光刻算法 | 第75-89页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 光刻工艺中的瓶颈和解决思路 | 第76-79页 |
| 4.3 基于工艺窗口的水平集计算光刻算法 | 第79-83页 |
| 4.4 实验结果和讨论 | 第83-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 基于混合共轭梯度的水平集计算光刻算法 | 第89-109页 |
| 5.1 引言 | 第89-91页 |
| 5.2 共轭梯度法简介 | 第91-94页 |
| 5.3 基于混合共轭梯度的水平集计算光刻算法 | 第94-97页 |
| 5.4 实验结果和讨论 | 第97-107页 |
| 5.5 本章小结 | 第107-109页 |
| 第6章 总结和展望 | 第109-113页 |
| 6.1 论文总结 | 第109-110页 |
| 6.2 工作展望 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-121页 |
| 在学期间取得的科研成果 | 第121-122页 |