| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第17-21页 |
| 缩略语对照表 | 第21-26页 |
| 第一章 绪论 | 第26-38页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料与器件的研究意义 | 第26-27页 |
| 1.2 氮化物半导体异质结特性与极化调制工程 | 第27-31页 |
| 1.3 氮化物半导体异质结结构与器件研究进展 | 第31-34页 |
| 1.4 本文的主要工作和安排 | 第34-38页 |
| 第二章 氮化物异质结器件工艺与设计 | 第38-54页 |
| 2.1 氮化物异质结材料生长 | 第38页 |
| 2.2 氮化物异质结器件制备工艺与优化 | 第38-47页 |
| 2.2.1 材料表面清洗 | 第39-40页 |
| 2.2.2 欧姆工艺 | 第40-43页 |
| 2.2.3 台面隔离工艺 | 第43-44页 |
| 2.2.4 表面钝化工艺、槽栅刻蚀与开孔刻蚀 | 第44-45页 |
| 2.2.5 栅极金属与互联金属制作 | 第45-46页 |
| 2.2.6 空气桥制作与电镀 | 第46-47页 |
| 2.3 氮化物异质结器件的设计 | 第47-52页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第47-49页 |
| 2.3.2 增益特性 | 第49-50页 |
| 2.3.3 漏电与击穿特性 | 第50-52页 |
| 2.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 高功率增益场板结构与栅结构的研究 | 第54-80页 |
| 3.1 源场板对器件功率增益的影响 | 第54-59页 |
| 3.1.1 器件仿真模型、参数与器件结构 | 第54-56页 |
| 3.1.2 源场板长度对功率增益的影响与实验验证 | 第56-58页 |
| 3.1.3 介质厚度对功率增益的影响 | 第58-59页 |
| 3.2 新型单层栅、源双场板结构的研制 | 第59-66页 |
| 3.2.1 器件击穿特性与频率特性的仿真研究 | 第59-64页 |
| 3.2.2 器件制作与特性分析 | 第64-66页 |
| 3.3 双栅器件结构的研制 | 第66-72页 |
| 3.3.1 双栅器件的直流特性 | 第67-69页 |
| 3.3.2 双栅器件的频率特性 | 第69-72页 |
| 3.4 倾斜栅器件结构的研制 | 第72-77页 |
| 3.4.1 倾斜栅器件的制备 | 第72-74页 |
| 3.4.2 倾斜栅器件的性能分析 | 第74-77页 |
| 3.5 本章小结 | 第77-80页 |
| 第四章 高铝组分异质结HEMT器件结构的研究 | 第80-92页 |
| 4.1 高Al组分势垒层GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN HEMT的研究 | 第80-90页 |
| 4.1.1 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN HEMT的直流特性 | 第80-84页 |
| 4.1.2 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN HEMT的交流特性 | 第84-85页 |
| 4.1.3 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN HEMT阈值电压的温度稳定性 | 第85-86页 |
| 4.1.4 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN HEMT的电学可靠性 | 第86-90页 |
| 4.2 本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 高铝组分绝缘栅型HEMT器件的研究 | 第92-118页 |
| 5.1 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN MIS-HEMT器件的研究 | 第92-100页 |
| 5.1.1 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN MIS-HEMT的直流特性 | 第92-94页 |
| 5.1.2 GaN/Al_(0.65)Ga_(0.35)N/AlN/GaN MIS-HEMT的交流特性 | 第94-96页 |
| 5.1.3 MIS-HEMT器件阈值电压不稳定性研究 | 第96-100页 |
| 5.2 高K介质与GaN接触特性与能带特性研究 | 第100-110页 |
| 5.2.1 高K介质的沉积与基本特性 | 第101-104页 |
| 5.2.2 高K介质与GaN之间的价带差测量 | 第104-107页 |
| 5.2.3 高K介质禁带宽度的测量与高K介质/GaN的能带对准特性 | 第107-110页 |
| 5.3 叠层栅介质MOS-HEMT器件的研究 | 第110-117页 |
| 5.3.1 叠层栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第110-112页 |
| 5.3.2 叠层栅介质MOS-HEMT器件交流特性 | 第112-113页 |
| 5.3.3 叠层栅介质MOS-HEMT器件的CV特性 | 第113-117页 |
| 5.4 本章小结 | 第117-118页 |
| 第六章 高铝组分氮化物增强型器件的研究 | 第118-142页 |
| 6.1 O_2等离子体注入增强型GaN/Al_(0.45)Ga_(0.55)N/AlN/GaN HEMT器件的研究 | 第119-123页 |
| 6.1.1 O_2等离子体注入增强型器件的基本特性 | 第119-121页 |
| 6.1.2 O_2等离子体注入增强型器件阈值电压调制机理 | 第121-123页 |
| 6.2 O_2等离子体注入增强型叠层栅MOS-HEMT器件的研究 | 第123-126页 |
| 6.3 氟注入栅介质增强型GaN/Al_(0.45)Ga_(0.55)N/AlN/GaN MOS -HEMT器件的研制 | 第126-130页 |
| 6.4 增强型Al_(0.83)In_(0.17)N/AlN/Al_(0.05)Ga_(0.95)N HEMT器件的实现 | 第130-137页 |
| 6.5 O_2等离子体注入Al_(0.83)In_(0.17)N/Al N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N MOS-HEMT增强型器件 | 第137-140页 |
| 6.6 本章小结 | 第140-142页 |
| 第七章 结论和展望 | 第142-146页 |
| 7.1 研究结论 | 第142-144页 |
| 7.2 研究展望 | 第144-146页 |
| 参考文献 | 第146-164页 |
| 致谢 | 第164-166页 |
| 作者简介 | 第166-169页 |
