| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-19页 |
| 1.1 氮化物薄膜概述 | 第15页 |
| 1.2 氮化锌薄膜的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 氮化锌结构性质 | 第16-17页 |
| 1.4 氮化锌光学和电学性质 | 第17-18页 |
| 1.5 研究目的和主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 氮化锌薄膜的制备和性质表征方法 | 第19-23页 |
| 2.1 氮化锌薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第19页 |
| 2.1.2 分子束外延法(MBE) | 第19-20页 |
| 2.2 氮化锌薄膜的表征方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 晶体结构测试分析 | 第20页 |
| 2.2.2 晶体成分测试分析 | 第20-21页 |
| 2.2.3 薄膜表面形貌分析 | 第21页 |
| 2.2.4 薄膜光学性质的测试分析 | 第21-23页 |
| 第三章 射频磁控溅射和脉冲激光沉积方法的原理及制备过程 | 第23-27页 |
| 3.1 射频磁控溅射方法原理 | 第23-24页 |
| 3.2 脉冲激光沉积方法原理 | 第24-25页 |
| 3.3 氮化锌薄膜的制备过程 | 第25页 |
| 3.4 ZnCo_2O_4薄膜制备过程 | 第25-27页 |
| 第四章 氮化锌薄膜的制备及其性能表征 | 第27-45页 |
| 4.1 氮氩比对Zn_3N_2薄膜的影响 | 第27-36页 |
| 4.1.1 氮氩比对Zn_3N_2薄膜结构的影响 | 第28-30页 |
| 4.1.2 氮氩比对Zn_3N_2薄膜光学性质的影响 | 第30-32页 |
| 4.1.3 氮氩比对Zn_3N_2薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 4.1.4 氮氩比对Zn_3N_2薄膜组分的影响 | 第33-36页 |
| 4.2 压强对Zn_3N_2薄膜的影响 | 第36-40页 |
| 4.2.1 压强对Zn_3N_2薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
| 4.2.2 压强对Zn_3N_2薄膜光学性质的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 压强对Zn_3N_2薄膜电学性质的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 溅射功率对Zn_3N_2薄膜的影响 | 第40-45页 |
| 4.3.1 溅射功率对Zn_3N_2薄膜结构的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.2 溅射功率对Zn_3N_2薄膜光学性质的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.3 溅射功率对Zn_3N_2薄膜电学性质的影响 | 第44-45页 |
| 第五章 掺Al氮化锌薄膜的制备及其性能表征 | 第45-70页 |
| 5.1 掺杂比例对ZnN:Al薄膜的影响 | 第45-53页 |
| 5.1.1 掺杂比例对ZnN:Al薄膜结构的影响 | 第46-47页 |
| 5.1.2 掺杂比例对ZnN:Al薄膜光学性质的影响 | 第47-49页 |
| 5.1.3 掺杂比例对ZnN:Al薄膜表面形貌的影响 | 第49页 |
| 5.1.4 掺杂比例对ZnN:Al薄膜组分的影响 | 第49-52页 |
| 5.1.5 掺杂比例对ZnN:Al薄膜电学性质的影响 | 第52-53页 |
| 5.2 氮氩比对ZnN:Al薄膜的影响 | 第53-58页 |
| 5.2.1 氮氩比对ZnN:Al薄膜结构的影响 | 第54-55页 |
| 5.2.2 氮氩比对ZnN:Al薄膜光学性质的影响 | 第55-56页 |
| 5.2.3 氮氩比对ZnN:Al薄膜表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| 5.2.4 氮氩比对ZnN:Al薄膜电学性质的影响 | 第57-58页 |
| 5.3 压强对ZnN:Al薄膜的影响 | 第58-64页 |
| 5.3.1 压强对ZnN:Al薄膜结构的影响 | 第59-60页 |
| 5.3.2 压强对ZnN:Al薄膜光学性质的影响 | 第60-62页 |
| 5.3.3 压强对ZnN:Al薄膜表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| 5.3.4 压强对ZnN:Al薄膜电学性质的影响 | 第63-64页 |
| 5.4 溅射功率对ZnN:Al薄膜的影响 | 第64-70页 |
| 5.4.1 溅射功率对ZnN:Al薄膜结构的影响 | 第64-66页 |
| 5.4.2 溅射功率对ZnN:Al薄膜光学性质的影响 | 第66-67页 |
| 5.4.3 溅射功率对ZnN:Al薄膜表面形貌的影响 | 第67-69页 |
| 5.4.4 溅射功率对ZnN:Al薄膜电学性质的影响 | 第69-70页 |
| 第六章 掺Al氮化锌薄膜的器件制备和研究 | 第70-79页 |
| 6.1 n-Zn_3N_2/p-ZnCo_2O_4异质结器件 | 第70-75页 |
| 6.1.1 Zn_3N_2和ZnCo_2O_4薄膜制备 | 第70-71页 |
| 6.1.2 异质结薄膜晶体结构和表面形貌 | 第71-73页 |
| 6.1.3 薄膜及异质结光学特性 | 第73-74页 |
| 6.1.4 异质结电学特性 | 第74-75页 |
| 6.2 场效应晶体管 | 第75-79页 |
| 6.2.1 场效应晶体管制备 | 第75-77页 |
| 6.2.2 器件性能分析 | 第77-79页 |
| 第七章 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第85页 |
