| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·本课题研究背景及意义 | 第12-14页 |
| ·课题的背景 | 第12-13页 |
| ·课题的意义 | 第13-14页 |
| ·薄膜热电偶技术简介 | 第14-16页 |
| ·薄膜热电偶工作原理 | 第14-16页 |
| ·T 型薄膜热电偶温度传感器的技术特点 | 第16页 |
| ·薄膜热电偶发展现状 | 第16-19页 |
| ·薄膜热电偶国外发展现状 | 第16-18页 |
| ·薄膜热电偶国内发展现状 | 第18-19页 |
| ·本文主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第二章 薄膜制备技术及表征 | 第22-31页 |
| ·薄膜制备技术 | 第22-25页 |
| ·薄膜制备方法简介 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射法原理 | 第23-25页 |
| ·磁控溅射镀膜材料与设备 | 第25-26页 |
| ·镀膜材料 | 第25页 |
| ·镀膜设备 | 第25-26页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第26-30页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第27页 |
| ·台阶仪 | 第27-28页 |
| ·自动划痕仪 | 第28-29页 |
| ·四探针仪 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Cu/CuNi 薄膜热电偶的制备 | 第31-46页 |
| ·热电偶薄膜制备工艺 | 第31-38页 |
| ·磁控溅射制备薄膜工艺过程 | 第31-32页 |
| ·Cu 和 CuNi 薄膜制备工艺参数 | 第32-35页 |
| ·SiO_2阻挡层的制备 | 第35-37页 |
| ·掩膜工艺 | 第37-38页 |
| ·薄膜沉积速率的确定 | 第38-42页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第39-40页 |
| ·Cu 薄膜沉积速率 | 第40-41页 |
| ·CuNi 薄膜沉积速率 | 第41-42页 |
| ·薄膜临界尺寸的确定 | 第42-44页 |
| ·薄膜电阻率测量 | 第42-43页 |
| ·Cu 薄膜的临界尺寸 | 第43-44页 |
| ·CuNi 薄膜的临界尺寸 | 第44页 |
| ·制备 Cu/CuNi 薄膜热电偶 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Cu/CuNi 薄膜热电偶静态性能研究 | 第46-59页 |
| ·薄膜热电偶静态标定实验原理 | 第46-47页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶静态标定 | 第47-51页 |
| ·静态标定实验台 | 第47页 |
| ·静态标定实验 | 第47-48页 |
| ·静态标定结果 | 第48-51页 |
| ·基于尺寸效应的 Cu/CuNi 薄膜热电偶灵敏度研究 | 第51-57页 |
| ·金属薄膜的热电特性 | 第51-52页 |
| ·金属薄膜的尺寸效应 | 第52-53页 |
| ·薄膜热电偶的热电势率 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 Cu/CuNi 薄膜热电偶动态特性研究 | 第59-76页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶动态特性理论研究 | 第59-67页 |
| ·薄膜热电偶常用传热模型分析 | 第59-62页 |
| ·基于对流换热为边界条件的一维非稳态模型 | 第62-65页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶动态特性理论分析 | 第65-67页 |
| ·薄膜热电偶动态标定实验方法及原理 | 第67-70页 |
| ·薄膜热电偶动态标定常用方法 | 第67-69页 |
| ·迅速投掷法标定实验原理 | 第69-70页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶动态标定软件设计 | 第70-73页 |
| ·软件开发环境介绍 | 第70-71页 |
| ·软件设计流程 | 第71-73页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶动态标定 | 第73-75页 |
| ·动态标定实验台 | 第73页 |
| ·动态标定实验 | 第73-74页 |
| ·Cu/CuNi 薄膜热电偶动态特性实验分析 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 结论与创新 | 第76-78页 |
| ·论文结论 | 第76-77页 |
| ·论文创新点 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |