| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-17页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·DCVD 工艺的分类 | 第14-16页 |
| ·论文的主要内容与章节安排 | 第16-17页 |
| ·论文的主要内容 | 第16页 |
| ·论文的章节安排 | 第16-17页 |
| 第二章 DCVD HDP 工艺原理和淀积设备 | 第17-29页 |
| ·CVD HDP 工艺概述及其原理 | 第17-26页 |
| ·HDP 工艺的基础：CVD 工艺概述 | 第17页 |
| ·CVD 工艺原理 | 第17-19页 |
| ·HDPCVD 的先驱： PECVD 工艺原理 | 第19-21页 |
| ·高密度等离子体 CVD （HDPCVD）工艺原理 | 第21-23页 |
| ·HDPCVD 的反应腔及主要反应过程 | 第23-25页 |
| ·HDPCVD 工艺的重要指标—淀积刻蚀比 (DSratio) | 第25-26页 |
| ·HDPCVD 薄膜淀积设备介绍 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 DCVD HDP工艺在半导体制造中的应用 | 第29-34页 |
| ·HDP 工艺在半导体制造中的应用 | 第29-30页 |
| ·半导体制造对 HDP 的工艺要求 | 第30页 |
| ·HDP 工艺中对薄膜质量的测量参数 | 第30-33页 |
| ·HDP 工艺中的两个问题 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 DCVD HDP 制程对 STI 钥匙孔缺陷的研究和改善 | 第34-45页 |
| ·问题阐述 | 第34-35页 |
| ·STI Void 形成机理 | 第35-37页 |
| ·间隙拐角处的淀积刻蚀比 | 第35页 |
| ·刻蚀速率的测量 | 第35-36页 |
| ·总淀积速率的测量 | 第36页 |
| ·间隙的深宽比对填充能力的影响 | 第36-37页 |
| ·HDP 工艺和设备与钥匙孔缺陷关系的研究 | 第37-41页 |
| ·气体分布对淀积刻蚀比的影响 | 第38-40页 |
| ·温度对淀积刻蚀比的影响 | 第40-41页 |
| ·射频功率对淀积刻蚀比的影响 | 第41页 |
| ·STI void 解决方案 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 DCVD HDP制程中对金属层电浆损伤的研究和改善 | 第45-56页 |
| ·问题阐述 | 第45-46页 |
| ·金属层电浆损伤与 HDP 工艺相关性研究 | 第46-47页 |
| ·HDP 设备和工艺与金属层电浆损伤关系的研究 | 第47-51页 |
| ·冷却系统静电卡盘对 metaldamage 的影响 | 第48-50页 |
| ·淀积薄膜的厚度对 metaldamage 的影响 | 第50页 |
| ·持续的热负荷对 metaldamage 的影响 | 第50-51页 |
| ·金属层电浆损伤的研究和改善 | 第51-54页 |
| ·多步淀积法对金属层电浆损伤的改善 | 第51-53页 |
| ·改善工艺步骤避免金属层电浆损伤 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 工作成果总结和展望 | 第56-58页 |
| ·成果总结 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第63页 |
