| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-30页 |
| ·量子点的定义 | 第14-15页 |
| ·量子点的特性 | 第15-19页 |
| ·量子尺寸效应 | 第16-17页 |
| ·表面效应 | 第17页 |
| ·量子限域效应 | 第17-18页 |
| ·介电限域效应 | 第18页 |
| ·量子隧道效应 | 第18-19页 |
| ·量子点的光学性质及其应用 | 第19-21页 |
| ·量子点发光机理 | 第19页 |
| ·量子点光学特性 | 第19-20页 |
| ·量子点的应用 | 第20-21页 |
| ·半导体量子点的合成 | 第21-28页 |
| ·水相法 | 第21-23页 |
| ·有机相合成法 | 第23-24页 |
| ·量子点的无机包裹 | 第24-25页 |
| ·量子点的水溶 | 第25-28页 |
| ·论文创新点和主要工作 | 第28-30页 |
| 第二章 CdSe 量子点的制备 | 第30-42页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验部分 | 第30-32页 |
| ·试剂与仪器 | 第30-31页 |
| ·CdSe 纳米颗粒的合成 | 第31页 |
| ·测试与表征 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-40页 |
| ·CdSe 纳米颗粒生长过程的分析 | 第32-33页 |
| ·纳米颗粒的生长动力学 | 第33-35页 |
| ·十八胺的用量与 CdSe 纳米颗粒大小的关系 | 第35-37页 |
| ·十八胺的用量与 CdSe 量子点发射峰半高宽的关系 | 第37-38页 |
| ·十八胺的用量与 CdSe 量子点荧光效率的关系 | 第38-40页 |
| ·CdSe 量子点在 ODA/TOPO=4 时的 TEM | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 核壳层量子点的合成 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验部分 | 第43-45页 |
| ·量子点源溶液的测试及计算 | 第43页 |
| ·计算包裹层所需源溶液的用量 | 第43-44页 |
| ·源溶液的制备 | 第44页 |
| ·使用 CdS 对 CdSe 进行表面修饰 | 第44-45页 |
| ·使用 ZnS 对 CdSe 进行表面修饰 | 第45页 |
| ·使用 Cd_(0.5)Zn_(0.5)S 对 CdSe 进行表面修饰 | 第45页 |
| ·测试与表征 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-55页 |
| ·表面修饰 CdSe 量子点分析 | 第45-47页 |
| ·介电限域效应对核壳层量子点的影响 | 第47-48页 |
| ·不同核壳结构量子点的荧光效率对比 | 第48-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 量子点的水溶及其生物应用 | 第56-71页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验部分 | 第56-58页 |
| ·量子点的水溶 | 第56-57页 |
| ·硅烷化量子点的制备 | 第57页 |
| ·量子点与蛋白质的嫁接 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-69页 |
| ·水溶性量子点制备过程的讨论 | 第58-59页 |
| ·三种核壳结构的量子点水溶后荧光性能的对比 | 第59-61页 |
| ·缓冲溶剂浓度对水溶性量子点的影响 | 第61-62页 |
| ·量子点硅烷化机理 | 第62-63页 |
| ·硅烷化量子点的 TEM 表征 | 第63-64页 |
| ·硅烷化后的荧光性能对比 | 第64-65页 |
| ·硅烷化量子点在缓冲液中的稳定性 | 第65-66页 |
| ·量子点的生物嫁接机理 | 第66-67页 |
| ·量子点生物嫁接后的电泳表征 | 第67-68页 |
| ·嫁接后量子点的试验表征 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第75页 |
