| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第10-12页 |
| ·SiC 稀磁半导体 | 第12-17页 |
| ·SiC 的概述 | 第12-13页 |
| ·SiC 的结构 | 第13页 |
| ·SiC 稀磁半导体研究现状 | 第13-16页 |
| ·SiC 稀磁半导体目前存在的问题 | 第16-17页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC 稀磁半导体薄膜的制备 | 第19-23页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·实验材料与实验设备 | 第19-20页 |
| ·实验研究思路 | 第20-21页 |
| ·SiC 稀磁半导体薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 Mn 掺杂 SiC 稀磁半导体薄膜的表征与性能 | 第23-43页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·Mn 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的表征 | 第23-35页 |
| ·Mn 掺杂 SiC 薄膜的掺杂量 | 第23-24页 |
| ·Mn 掺杂SiC 薄膜的晶体结构 | 第24-25页 |
| ·Mn 掺杂SiC 薄膜的表面形貌及膜厚 | 第25-26页 |
| ·Mn 掺杂SiC 薄膜的价态分析 | 第26-29页 |
| ·Mn 掺杂SiC 薄膜的X 射线吸收精细结构分析 | 第29-35页 |
| ·Mn 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的磁性 | 第35-38页 |
| ·Mn 掺杂浓度对SiC 薄膜磁性的影响 | 第35-36页 |
| ·退火温度对Mn 掺杂SiC 薄膜磁性的影响 | 第36-38页 |
| ·Mn 掺杂 SiC 稀磁半导体薄膜的输运特性 | 第38-40页 |
| ·不同浓度Mn 掺杂SiC 薄膜的I-V 曲线 | 第38-39页 |
| ·制备态Mn 掺杂SiC 薄膜的I-V 曲线 | 第39页 |
| ·不同浓度Mn 掺杂SiC 薄膜的R-T 曲线 | 第39-40页 |
| ·制备态Mn 掺杂SiC 薄膜的R-T 曲线 | 第40页 |
| ·Mn 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的缺陷分析 | 第40-42页 |
| ·不同浓度Mn 掺杂SiC 薄膜的光致发光谱 | 第41-42页 |
| ·不同退火温度Mn 掺杂SiC 薄膜的光致发光谱 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 Co 掺杂 SiC 稀磁半导体薄膜的表征与性能 | 第43-61页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·Co 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的表征 | 第43-51页 |
| ·Co 掺杂SiC 薄膜的掺杂含量 | 第43-44页 |
| ·Co 掺杂SiC 薄膜的晶体结构 | 第44-45页 |
| ·Co 掺杂SiC 薄膜的表面形貌及膜厚 | 第45-46页 |
| ·Co 掺杂SiC 薄膜的价态分析 | 第46-50页 |
| ·Co 掺杂SiC 薄膜的X 射线吸收精细结构分析 | 第50-51页 |
| ·Co 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的磁性 | 第51-55页 |
| ·Co 掺杂浓度对SiC 薄膜磁性的影响 | 第52-53页 |
| ·退火温度对Co 掺杂SiC 薄膜磁性的影响 | 第53-54页 |
| ·Co 掺杂 SiC 薄膜的 M-T 曲线 | 第54-55页 |
| ·Co 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的输运特性 | 第55-58页 |
| ·不同浓度 Co 掺杂的 SiC 薄膜的 I-V 曲线 | 第55-56页 |
| ·制备态的 Co 掺杂 SiC 薄膜的 I-V 曲线 | 第56页 |
| ·不同 Co 掺杂浓度的 SiC 薄膜的 R-T 曲线 | 第56-57页 |
| ·不同退火温度 Co 掺杂的 SiC 薄膜的 R-T 曲线 | 第57-58页 |
| ·Co 掺杂SiC 稀磁半导体薄膜的缺陷分析 | 第58-60页 |
| ·不同浓度Co 掺杂SiC 薄膜的光致发光谱 | 第59-60页 |
| ·不同退火温度 Co 掺杂 SiC 薄膜的光致发光谱 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
