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65纳米以下IC碱性阻挡层CMP材料与工艺的研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第11-31页
    1.1 化学机械平坦化第11-12页
    1.2 集成电路阻挡层CMP及发展趋势第12-14页
    1.3 国内外研究现状第14-18页
    1.4 抛光液组分分析第18-22页
        1.4.1 FA/O螯合剂第18-19页
        1.4.2 活性剂第19-20页
        1.4.3 氧化剂第20-21页
        1.4.4 磨料第21页
        1.4.5 盐酸胍助剂第21-22页
    1.5 实验设备原理及方法介绍第22-28页
        1.5.1 重要实验设备介绍第22-26页
            1.5.1.1 抛光机第22页
            1.5.1.2 接触角测量仪第22-23页
            1.5.1.3 电化学工作站第23-25页
            1.5.1.4 4D Four Point Probe电阻率测试仪第25-26页
            1.5.1.5 其他实验仪器第26页
        1.5.2 实验方法及原理介绍第26-28页
            1.5.2.1 化学机械平坦化实验方法第26-27页
            1.5.2.2 电化学工作站的应用第27-28页
    1.6 论文研究内容第28-31页
第二章 阻挡层CMP理论与技术第31-41页
    2.1 阻挡层CMP理论分析与研究第31-38页
        2.1.1 Cu自钝化理论第31-33页
        2.1.2 Ta、O_x胺化理论第33-34页
        2.1.3 滞流层理论第34-35页
        2.1.4 优先吸附理论第35-36页
        2.1.5 螯合理论第36页
        2.1.6 CMP后零缺陷第36-37页
        2.1.7 电偶腐蚀抑制理论第37页
        2.1.8 碟形坑修正效率第37-38页
    2.2 FA/O阻挡层CMP急待解决问题以及关键技术第38-41页
        2.2.1 阻挡层CMP现存问题第38-39页
        2.2.2 阻挡层CMP关键技术第39-41页
第三章 Ta基阻挡层CMP第41-99页
    3.1 阻挡层抛光高选择性可行性分析第41-43页
    3.2 抛光液组分对Ta、Cu、O_x选择性影响研究第43-52页
        3.2.1 3inch与12inch测试片抛光速率对比第44-45页
        3.2.2 磨料对速率选择性影响第45-46页
        3.2.3 螯合剂对速率选择性影响第46-49页
            3.2.3.1 FA/OI螯合剂第46-47页
            3.2.3.2 FA/OII螯合剂第47-48页
            3.2.3.3 FA/OIV螯合剂第48-49页
        3.2.4 活性剂对速率选择性影响第49-51页
        3.2.5 盐酸胍助剂对速率选择性影响第51-52页
    3.3 CMP工艺对Ta/Cu/O_x选择性影响研究第52-57页
        3.3.1 压力第53-54页
        3.3.2 转速第54页
        3.3.3 流量第54-55页
        3.3.4 pH值第55-56页
        3.3.5 温度第56-57页
    3.4 阻挡层抛光液产业线上评估及缺陷研究第57-72页
        3.4.1 阻挡层抛光液产业线上评估第58-71页
            3.4.1.1 速率评估第60-62页
            3.4.1.2 Cu膜厚度评估第62-65页
            3.4.1.3 碟形坑及蚀坑修正评估第65-68页
            3.4.1.4 电参数评估第68-71页
        3.4.2 FA/O阻挡层抛光液缺陷第71-72页
    3.5 FA/O阻挡层抛光液缺陷改进第72-85页
        3.5.1 Cu速率及粗糙改进研究第73-78页
            3.5.1.1 螯合剂对粗糙度影响第74-77页
            3.5.1.2 非离子表面活性剂对粗糙度影响第77-78页
        3.5.2 平坦化性能改进研究第78-79页
        3.5.3 电参数性能改进研究第79-85页
    3.6 Ta阻挡层抛光液稳定性研究第85-87页
    3.7 改进后Ta阻挡层抛光液产业线上评估第87-95页
        3.7.1 速率改进结果第88-90页
        3.7.2 Cu膜剩余厚度改进结果第90-92页
        3.7.3 平坦化性能改进结果第92-94页
        3.7.4 电参数性能改进结果第94-95页
    3.8 28nm钽基阻挡层第95-97页
        3.8.1 28nm钽基阻挡层结构及CMP要求第95-96页
        3.8.2 28nm阻挡层CMP技术问题第96页
        3.8.3 28nm阻挡层FA/O碱性阻挡层抛光液测试第96-97页
    3.9 本章结论第97-99页
第四章 Co基阻挡层CMP第99-115页
    4.1 Co基阻挡层性能第99页
    4.2 Co阻挡层CMP研究现状第99-101页
    4.3 抛光液组分对Co/Cu抛光速率影响第101-110页
        4.3.1 FA/OI对Cu/CoCMP速率影响第101-104页
        4.3.2 过氧化氢对CoCMP速率影响第104-106页
        4.3.3 非离子表面活性剂对CoCMP的影响第106-109页
            4.3.3.1 非离子活性剂对Cu/CoCMP速率的影响第106-107页
            4.3.3.2 非离子表面活性剂对CoCMP后表面粗糙度的影响第107-109页
        4.3.4 优化抛光液组分对电偶腐蚀影响第109-110页
    4.4 工艺参数对Co抛光速率影响第110-113页
        4.4.1 流量对Co抛光速率和表面粗糙度的影响第110-111页
        4.4.2 压力对Co抛光速率和表面粗糙度的影响第111-112页
        4.4.3 转速对Co抛光速率和表面粗糙度的影响第112-113页
    4.5 本章结论第113-115页
第五章 Ru基阻挡层CMP第115-135页
    5.1 Ru基阻挡层性能第115页
    5.2 Ru阻挡层CMP研究现状第115-117页
    5.3 Ru抛光机理第117-119页
    5.4 抛光液组分对Cu/Ru抛光速率影响第119-130页
        5.4.1 磨料对Cu/Ru抛光速率影响第119-120页
        5.4.2 氧化剂对Cu/Ru抛光速率影响第120-125页
        5.4.3 FA/OI螯合剂对Cu/Ru抛光速率影响第125-127页
        5.4.4 活性剂对Cu/Ru抛光速率影响第127-130页
            5.4.4.1 Cu/Ru抛光速率第127-128页
            5.4.4.2 Ru表面粗糙度第128-130页
    5.5 Ru抛光液稳定性研究第130-132页
        5.5.1 磨料对稳定性影响第130-131页
        5.5.2 活性剂对稳定性影响第131-132页
    5.6 Cu/Ru电偶腐蚀第132-133页
    5.7 本章结论第133-135页
第六章 阻挡层CMP后清洗第135-155页
    6.1 CMP后清洗第135-137页
        6.1.1 后清洗目的及意义第135-136页
        6.1.2 后清洗物质第136-137页
    6.2 CMP后清洗技术第137-140页
        6.2.1 湿法清洗第137-139页
        6.2.2 干法清洗第139-140页
    6.3 清洗剂第140-141页
    6.4 清洗机理第141-142页
        6.4.1 铜离子的去除机理第141页
        6.4.2 铜氧化物的去除机理第141页
        6.4.3 Cu-BTA聚合物去除机理第141页
        6.4.4 有机物去除机理第141-142页
        6.4.5 颗粒去除机理第142页
    6.5 清洗剂成分第142-148页
        6.5.1 FA/OII型螯合剂第143-146页
            6.5.1.1 氧化铜清洗效果第143-145页
            6.5.1.2 Cu-BTA清洗效果第145-146页
            6.5.1.3 铜表面腐蚀现象第146页
        6.5.2 FA/OI型表面活性剂第146-148页
            6.5.2.1 活性剂作用第146-147页
            6.5.2.2 铜表面腐蚀抑制第147-148页
    6.6 复合清洗剂第148-150页
        6.6.1 清洗效果第148-149页
        6.6.2 与柠檬酸对比研究第149-150页
    6.7 12inch多层铜布线清洗效果研究第150-153页
    6.8 本章结论第153-155页
第七章 结论第155-159页
    7.1 结论第155-158页
    7.2 创新点第158-159页
参考文献第159-171页
附录 A第171-173页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第173-175页
致谢第175页

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