| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 半导体界面和表面的发展历史 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体界面和表面的研究方法 | 第9-11页 |
| 1.2.1 理论方法 | 第9-10页 |
| 1.2.2 实验方法 | 第10-11页 |
| 1.3 研究目的及意义 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 理论知识 | 第14-25页 |
| 2.1 半导体界面和表面的结构模型 | 第14-16页 |
| 2.1.1 定域态与扩展态 | 第14-15页 |
| 2.1.2 表面 | 第15页 |
| 2.1.3 界面 | 第15-16页 |
| 2.2 金属-半导体结 | 第16-19页 |
| 2.2.1 肖特基势垒 | 第16-17页 |
| 2.2.2 加偏压的肖特基势垒 | 第17-19页 |
| 2.3 金属-氧化物-半导体(MOS)结构空间电荷区 | 第19-20页 |
| 2.3.1 理想MOS结构 | 第19页 |
| 2.3.2 半导体表面空间电荷区 | 第19-20页 |
| 2.4 线性电光效应 | 第20-24页 |
| 2.4.1 电场诱导的线性电光效应 | 第20-22页 |
| 2.4.2 应力诱导的线性电光效应 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 施加电场检测界面性质 | 第25-39页 |
| 3.1 样品结构与实验光路系统 | 第25-30页 |
| 3.1.1 样品结构 | 第25页 |
| 3.1.2 表面电场和载流子分布的理论模型 | 第25-29页 |
| 3.1.3 实验光路系统 | 第29-30页 |
| 3.2 理论计算 | 第30-32页 |
| 3.3 实验操作与结果分析 | 第32-38页 |
| 3.3.1 施加直流电场结果与分析 | 第32-36页 |
| 3.3.2 未施加直流电场结果分析 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 施加应力检测界面性质 | 第39-53页 |
| 4.1 实验样品结构 | 第39-41页 |
| 4.1.1 样品结构 | 第39页 |
| 4.1.2 单轴应力施加装置设计 | 第39-41页 |
| 4.2 应力诱导线性电光效应理论计算 | 第41-47页 |
| 4.3 应力诱导线性电光效应实验设计及测量 | 第47-48页 |
| 4.3.1 实验光路 | 第47-48页 |
| 4.4 实验结果及分析 | 第48-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59页 |