| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第10-15页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 双极晶体管中子注量探测器的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 1MeV等效中子注量测量方法 | 第15-25页 |
| 2.1 中子注量和1MeV等效中子注量的概念 | 第15页 |
| 2.2 常规中子注量测量 | 第15-21页 |
| 2.2.1 常规中子探测的基本方法和原理 | 第15-18页 |
| 2.2.2 常规中子注量测量方法及原理 | 第18-21页 |
| 2.3 基于双极晶体管中子探测器的1MeV等效中子注量测量方法 | 第21-25页 |
| 2.3.1 关于等效系数、等效中子注量的概念 | 第21-22页 |
| 2.3.2 1MeV等效中子注量测量原理 | 第22-25页 |
| 第3章 双极晶体管等效中子注量在线测量技术 | 第25-30页 |
| 3.1 双极晶体管等效中子注量在线测量系统 | 第25-26页 |
| 3.2 双极晶体管等效中子注量在线测量流程 | 第26-27页 |
| 3.3 双极晶体管等效中子注量探测器技术的不确定度 | 第27-28页 |
| 3.4 双极晶体管等效中子注量探测器实际应用展示 | 第28-29页 |
| 3.5 双极晶体管等效中子注量在线测量技术后续研究思路 | 第29-30页 |
| 第4章 双极晶体管等效中子注量探测器耐辐照性能研究 | 第30-43页 |
| 4.1 耐中子辐照能力的研究 | 第30-33页 |
| 4.1.1 实验方法 | 第30页 |
| 4.1.2 实验准备条件 | 第30页 |
| 4.1.3 实验布局及过程 | 第30-31页 |
| 4.1.4 结果分析及结论 | 第31-33页 |
| 4.2 抗γ性能的研究 | 第33-37页 |
| 4.2.1 实验目的 | 第33页 |
| 4.2.2 实验准备及条件 | 第33-34页 |
| 4.2.3 实验结果 | 第34-36页 |
| 4.2.4 结果分析及结论 | 第36-37页 |
| 4.3 不同中子注量率对探测器的影响 | 第37-43页 |
| 4.3.1 实验目的 | 第37页 |
| 4.3.2 实验准备及条件 | 第37页 |
| 4.3.3 实验结果 | 第37-42页 |
| 4.3.4 结果分析及结论 | 第42-43页 |
| 第5章 提升技术研究 | 第43-58页 |
| 5.1 标定技术研究 | 第43-49页 |
| 5.1.1 研究目的 | 第43页 |
| 5.1.2 方法 | 第43-44页 |
| 5.1.3 实验及结果 | 第44-48页 |
| 5.1.4 结论 | 第48-49页 |
| 5.2 退火便利设计 | 第49-52页 |
| 5.2.1 设计目的 | 第49页 |
| 5.2.2 探测器的连接件设计 | 第49-51页 |
| 5.2.3 设计结果及实物图 | 第51-52页 |
| 5.3 中子注量探测器的γ影响修正研究 | 第52-58页 |
| 5.3.1 研究目的 | 第52-53页 |
| 5.3.2 γ影响修正原理 | 第53-54页 |
| 5.3.3 实验准备及条件 | 第54页 |
| 5.3.4 实验结果 | 第54-56页 |
| 5.3.5 结果分析及结论 | 第56-58页 |
| 第6章 结论与建议 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58-59页 |
| 6.2 建议 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第63页 |
