太阳能级多晶硅流化床化学气相沉积生长过程的CFD模拟研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号说明 | 第9-11页 |
| 第1章 绪言 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 气固流化床原理 | 第12-16页 |
| 1.2.1 流态化技术及其优点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 B,D类颗粒流化特性 | 第13-14页 |
| 1.2.3 气泡的尺寸和速度 | 第14-16页 |
| 1.3 太阳能级流化床多晶硅反应器研究与开发 | 第16-22页 |
| 1.3.1 硅材料提炼技术发展史 | 第16-17页 |
| 1.3.2 太阳能级多晶硅生产工艺概述 | 第17-20页 |
| 1.3.3 硅烷流化床生产多晶硅的技术瓶颈 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的研究思路和研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 气固流化床两相流场的TFM-KTGF模型 | 第23-29页 |
| 2.1 TFM双流体模型 | 第23-24页 |
| 2.2 KTGF封闭模型 | 第24-26页 |
| 2.2.1 颗粒温度 | 第25页 |
| 2.2.2 固体压力 | 第25页 |
| 2.2.3 径向分布函数 | 第25-26页 |
| 2.2.4 颗粒体积粘度 | 第26页 |
| 2.2.5 颗粒剪切粘度 | 第26页 |
| 2.3 湍流模型 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 鼓泡流化床气固流体动力学模拟与验证 | 第29-44页 |
| 3.1 流化床模型 | 第29-35页 |
| 3.1.1 几何模型 | 第29-30页 |
| 3.1.2 模型参数的确定 | 第30-35页 |
| 3.2 曳力模型与修正 | 第35-37页 |
| 3.3 床层压降分布 | 第37-38页 |
| 3.4 床层膨胀与气含率分布 | 第38-40页 |
| 3.5 固含率沿床高分布 | 第40-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 小型流化床多晶硅反应器等温流场模拟 | 第44-58页 |
| 4.1 反应器与工艺参数 | 第44-46页 |
| 4.2 计算网格 | 第46页 |
| 4.3 初始边界条件 | 第46-48页 |
| 4.4 模拟结果分析与讨论 | 第48-56页 |
| 4.4.1 床层压降分布 | 第48-49页 |
| 4.4.2 床层膨胀与气含率分布 | 第49-51页 |
| 4.4.3 气泡尺寸分布与验证 | 第51-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 小型流化床多晶硅化学气相沉积生长过程模拟 | 第58-72页 |
| 5.1 化学气相沉积反应动力学模型 | 第58-60页 |
| 5.1.1 硅烷的非均相分解 | 第59页 |
| 5.1.2 硅烷的均相分解 | 第59-60页 |
| 5.1.3 硅微粉再沉积 | 第60页 |
| 5.2 硅晶体颗粒生长过程的PBM模型 | 第60-61页 |
| 5.3 模拟计算方法、计算步骤和初始边界条件 | 第61-66页 |
| 5.4 模拟结果分析与讨论 | 第66-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 全文总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
