| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 MOSFET的发展及存在的问题 | 第7-9页 |
| 1.2 SOI MOSFET介绍及其优势 | 第9-11页 |
| 1.3 SOI MOSFET源/漏寄生电阻二维模型研究的意义 | 第11-12页 |
| 1.4 MOSFET器件源/漏寄生电阻研究现状 | 第12-13页 |
| 1.5 本文所做的工作 | 第13-15页 |
| 第2章 MOS器件源/漏寄生电阻研究方法 | 第15-24页 |
| 2.1 源/漏寄生电阻分析 | 第15-16页 |
| 2.2 源/漏寄生电阻的建模方法 | 第16-21页 |
| 2.2.1 解析法 | 第16-19页 |
| 2.2.2 数值法 | 第19-21页 |
| 2.2.3 半解析法 | 第21页 |
| 2.3 沟道电阻提取法 | 第21-24页 |
| 第3章 SOI MOSFET的源/漏寄生电阻二维半解析模型 | 第24-43页 |
| 3.1 源/漏寄生电阻的二维半解析模型 | 第24-26页 |
| 3.2 SOI MOSFET源/漏区二维电势求解 | 第26-40页 |
| 3.2.1 Ⅱ区定解问题求解 | 第26-29页 |
| 3.2.2 Ⅰ区定解问题求解 | 第29-32页 |
| 3.2.3 二维模型衔接处方程与边界处方程处理 | 第32-35页 |
| 3.2.4 Ⅱ区等效浓度的求解 | 第35-37页 |
| 3.2.5 待定系数及电势的求解 | 第37-40页 |
| 3.3 电阻求解 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 SOI MOSFET源/漏区的二维电势分布和寄生电阻的验证与分析 | 第43-58页 |
| 4.1 电势模型验证 | 第43-46页 |
| 4.2 源/漏寄生电阻的验证与分析 | 第46-57页 |
| 4.2.1 背栅耗尽状态下电阻模型的验证 | 第46-52页 |
| 4.2.2 背栅积累状态下电阻模型的验证 | 第52-57页 |
| 4.3 影响漏区寄生电阻的因素分析与总结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63页 |
| 攻读学位期间参与的科研项目 | 第63页 |
