| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SOI 技术的优点 | 第9-10页 |
| 1.3 SOI 技术中存在的问题 | 第10-12页 |
| 1.4 SOI 器件的电离辐射效应 | 第12-13页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 SOI 器件辐照效应研究综述 | 第15-27页 |
| 2.1 SOI 器件总剂量辐照效应 | 第15-20页 |
| 2.1.1 辐照感生氧化层陷阱电荷 | 第16-17页 |
| 2.1.2 辐照感生界面陷阱电荷 | 第17-18页 |
| 2.1.3 PD SOI MOS 器件的总剂量辐照效应 | 第18-20页 |
| 2.2 单粒子辐射效应 | 第20-22页 |
| 2.2.1 电荷淀积模式 | 第20-21页 |
| 2.2.2 单粒子效应的电荷收集模式 | 第21-22页 |
| 2.2.3 计算机仿真模拟 | 第22页 |
| 2.3 SOI 器件及电路的抗辐照加固设计 | 第22-25页 |
| 2.3.1 总剂量辐照加固 | 第22-24页 |
| 2.3.2 单粒子辐照加固 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 SOI 器件的总剂量辐照效应实验研究 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 辐照实验和测试 | 第27-28页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第28-37页 |
| 3.3.1 沟道长度对 SOI 器件阈值电压的影响 | 第28-32页 |
| 3.3.2 沟道长度对 SOI 器件跨导的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.3 沟道长度对 SOI 器件输出特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 基于 SOI 结构的电路辐照效应研究 | 第39-53页 |
| 4.1 反相器及其加固电路的总剂量辐照效应 | 第39-44页 |
| 4.1.1 反相器的总剂量辐照效应 | 第39-40页 |
| 4.1.2 仿真模型 | 第40-42页 |
| 4.1.3 仿真结果分析与讨论 | 第42-44页 |
| 4.2 SOI 结构反相器电路的单粒子翻转效应 | 第44-48页 |
| 4.2.1 反相器的单粒子翻转效应 | 第44-46页 |
| 4.2.2 仿真结果与分析与讨论 | 第46-48页 |
| 4.3 SOI 结构 SRAM 的单粒子翻转效应 | 第48-51页 |
| 4.3.1 SRAM 电路单粒子翻转效应 | 第48-50页 |
| 4.3.2 仿真结果分析与讨论 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |
