| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景及研究意义 | 第7-10页 |
| ·GaN 基器件的应用前景和研究进展 | 第7-8页 |
| ·GaN 基器件可靠性的研究现状 | 第8-9页 |
| ·目前存在的问题 | 第9-10页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第10-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 工艺与基本理论 | 第13-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 工艺 | 第13-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的材料结构 | 第13页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件关键工艺 | 第13-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 工作原理 | 第16-20页 |
| ·二维电子气产生机理 | 第16-17页 |
| ·器件的直流特性与频率特性 | 第17-19页 |
| ·器件特性参数的测量 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件的高场退化效应研究 | 第21-37页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件中的高场退化效应 | 第21-25页 |
| ·实验样品和实验流程 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件高场退化的模型概述 | 第22-25页 |
| ·不同高场应力条件下AlGaN/GaN HEMT 的参数退化 | 第25-31页 |
| ·开态应力下器件性能的退化 | 第25-27页 |
| ·关态应力下器件性能的退化 | 第27-28页 |
| ·几种应力下HEMT 器件性能退化的比较 | 第28-31页 |
| ·高场应力下器件退化与电流崩塌的关系 | 第31页 |
| ·应力条件与AlGaN/GaN HEMT 器件特性退化的联系 | 第31-35页 |
| ·栅电压应力对高场退化的影响 | 第32-33页 |
| ·漏电压应力对高场退化的影响 | 第33-34页 |
| ·改善高场退化效应的措施 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件的温度可靠性研究 | 第37-55页 |
| ·不同温度下AlGaN/GaN HEMT 性能研究 | 第37-49页 |
| ·温度对肖特基接触性能的影响 | 第37-39页 |
| ·温度对欧姆接触性能的影响 | 第39-41页 |
| ·温度对AlGaN/GaN HEMT 器件特性的影响 | 第41-49页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的高温存储特性研究 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第60-61页 |
