| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1.1 半导体器件的发展和挑战 | 第8-11页 |
| 1.2 三栅场效应晶体管的研究现状与存在的问题 | 第11-14页 |
| 1.3 InGaAs场效应晶体管的研究现状与存在的问题 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的主要内容和安排 | 第17-18页 |
| 第二章 三栅场效应晶体管的导电模型 | 第18-46页 |
| 2.1 In_(0.53)Ga_(0.47)As FinFET的器件仿真 | 第19-22页 |
| 2.2 三栅场效应晶体管中的量子效应 | 第22-32页 |
| 2.3 基于多子能级的准弹道散射模型 | 第32-40页 |
| 2.4 三栅场效应晶体管的电容模型 | 第40-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 三栅场效应晶体管的特性仿真 | 第46-63页 |
| 3.1 三栅场效应晶体管的导电特性 | 第47-54页 |
| 3.2 准弹道散射模型中的散射系数 | 第54-57页 |
| 3.3 模型仿真与测量结果的对比 | 第57-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 附录A. Sentaurus Device输入文件 | 第71-73页 |
| 附录B. MATLAB程序 | 第73-88页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
