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基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 压力传感器的发展应用与分类第9-14页
        1.2.1 压力传感器的发展应用第9-10页
        1.2.2 压力传感器的分类第10-14页
    1.3 汽车传感器的发展现状第14-15页
    1.4 选题的目的及意义第15-16页
    1.5 论文的主要工作内容和设计指标第16-17页
第2章 压力传感器的原理和结构分析第17-23页
    2.1 压阻效应原理第17-19页
    2.2 压力敏感结构第19-21页
    2.3 压力敏感结构的检测原理第21-22页
    2.4 本章小结第22-23页
第3章 压力传感器的结构设计及优化第23-39页
    3.1 压阻结构设计第23-24页
    3.2 膜片长宽尺寸设计第24-26页
    3.3 非线性分析及膜厚的确定方法第26-29页
    3.4 膜片尺寸对传感器过载能力的影响第29-33页
        3.4.1 触底保护的腔体高度第29-30页
        3.4.2 膜片尺寸与过载能力之间的关系第30-32页
        3.4.3 讨论第32-33页
        3.4.4 结论第33页
    3.5 压力传感器的耐高温设计第33-37页
        3.5.1 弹性膜片第34-36页
        3.5.2 金属引线第36-37页
        3.5.3 应变电阻第37页
    3.6 输出及灵敏度第37-38页
    3.7 本章小结第38-39页
第4章 压力敏感结构工艺及关键技术第39-53页
    4.1 压力敏感结构工艺流程第39-43页
    4.2 关键工艺技术研究第43-49页
        4.2.1 表面牺牲层技术第43页
        4.2.2 SOI技术第43-44页
        4.2.3 刻蚀技术第44-46页
        4.2.4 化学气相淀积第46-49页
    4.3 压力芯片版图设计第49-51页
    4.4 本章小结第51-53页
第5章 结论第53-55页
参考文献第55-58页
在学研究成果第58-59页
致谢第59页

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