| 摘要 | 第10-13页 |
| ABSTRACT | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第17-56页 |
| §1.1 半导体材料表面微加工方法概述 | 第17-23页 |
| 1.1.1 光刻 | 第18页 |
| 1.1.2 电子束曝光和聚焦离子束刻蚀 | 第18-19页 |
| 1.1.3 软刻蚀和纳米压印刻蚀 | 第19-20页 |
| 1.1.4 激光辅助的刻蚀技术 | 第20-23页 |
| §1.2 影响能带结构的因素及调控方法 | 第23-35页 |
| 1.2.1 温度 | 第23-25页 |
| 1.2.2 掺杂和组分 | 第25-26页 |
| 1.2.3 量子尺寸效应 | 第26-29页 |
| 1.2.4 异质结 | 第29-31页 |
| 1.2.5 紫外光辐照 | 第31-33页 |
| 1.2.6 应力 | 第33-35页 |
| §1.3 表面等离激元效应 | 第35-42页 |
| 1.3.1 表面等离激元的原理 | 第35-38页 |
| 1.3.2 表面等离激元的应用 | 第38-42页 |
| §1.4 研究目的与解决的问题 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-56页 |
| 第二章 激光干涉湿法刻蚀技术及GaAs表面周期性图形的制备 | 第56-67页 |
| §2.1 引言 | 第56-57页 |
| §2.2 实验方法 | 第57-59页 |
| §2.3 结果与讨论 | 第59-62页 |
| §2.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第三章 近红外光控制的ZnO表面润湿性的恢复 | 第67-79页 |
| §3.1 引言 | 第67-68页 |
| §3.2 实验方法 | 第68-69页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第69-75页 |
| §3.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第四章 基于纳米压痕仪的ZnO和GaAs表面力学性能测试 | 第79-90页 |
| §4.1 引言 | 第79页 |
| §4.2 压痕理论 | 第79-82页 |
| §4.3 实验方法 | 第82页 |
| §4.4 结果与讨论 | 第82-88页 |
| 4.4.1 ZnO单晶的力学性能 | 第82-85页 |
| 4.4.2 GaAs单晶的力学性能 | 第85-88页 |
| §4.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第五章 阵列式压痕技术及对GaAs的改性研究 | 第90-113页 |
| §5.1 引言 | 第90页 |
| §5.2 实验部分 | 第90-92页 |
| §5.3 结果与讨论 | 第92-107页 |
| 5.3.1 阵列式压痕及形貌分析 | 第92-94页 |
| 5.3.2 压痕处理前后p-GaAs与AgN03的光化学反应 | 第94-98页 |
| 5.3.3 XPS分析 | 第98-99页 |
| 5.3.4 Ag纳米结构生长机理分析 | 第99-101页 |
| 5.3.5 SERS分析 | 第101-102页 |
| 5.3.6 表面润湿性的转变 | 第102-104页 |
| 5.3.7 光学性质分析 | 第104-107页 |
| §5.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-113页 |
| 第六章 结论与未来展望 | 第113-116页 |
| 主要结论 | 第113-114页 |
| 论文创新点 | 第114-115页 |
| 需要进一步研究的问题 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 攻读博士期间已发表的论文及专利 | 第117-118页 |
| 附件 | 第118-130页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第130页 |
