| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| §1-1 集成电路的发展趋势 | 第11-20页 |
| §1-1-1 发展概况 | 第11-13页 |
| §1-1-2 晶圆尺寸的增加 | 第13-14页 |
| §1-1-3 特征尺寸的降低 | 第14-15页 |
| §1-1-4 多层铜互连技术与新材料的引入 | 第15-16页 |
| §1-1-5 低k介质材料 | 第16-18页 |
| §1-1-6 进一步发展趋势 | 第18-20页 |
| §1-1-7 平坦化核心技术难题-碟形坑和蚀坑 | 第20页 |
| §1-2 低压力低磨料化学机械平坦化工艺设备与材料现状 | 第20-31页 |
| §1-2-1 低压力低磨料CMP抛光液开发的必要性 | 第27-28页 |
| §1-2-2 抛光液的研究现状及发展趋势 | 第28-29页 |
| §1-2-3 低磨料CMP材料去除机理及模型研究现状 | 第29-31页 |
| §1-2-4 建立低压力低磨料化学机械平坦化模型的必然趋势 | 第31页 |
| §1-3 论文研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 低压低磨料CMP实验设备和相应碱性抛光液各组分的研究 | 第33-81页 |
| §2-1 主要实验设备 | 第33-39页 |
| §2-1-1 抛光机 | 第33-34页 |
| §2-1-2 原子力显微镜 | 第34-35页 |
| §2-1-3 XP-300台阶仪 | 第35页 |
| §2-1-4 电化学工作站 | 第35-36页 |
| §2-1-5 激光纳米粒度/电位仪 | 第36-37页 |
| §2-1-6 金相显微镜 | 第37-38页 |
| §2-1-7 红外光谱仪 | 第38页 |
| §2-1-8 旋转粘度计 | 第38-39页 |
| §2-2 低压低磨料条件下碱性抛光液中各组分的研究 | 第39-79页 |
| §2-2-1 抛光液中螯合剂对铜膜低压低磨料CMP的影响 | 第39-54页 |
| §2-2-2 抛光液中SiO_2溶胶对铜膜低压低磨料CMP的影响 | 第54-60页 |
| §2-2-3 抛光液中非离子表面活性剂对铜膜低压低磨料CMP的影响 | 第60-69页 |
| §2-2-4 抛光液中氧化剂对铜膜低压低磨料CMP的影响 | 第69-79页 |
| §2-3 本章小结 | 第79-81页 |
| 第三章 低压力低磨料铜化学机械平坦化可行性分析 | 第81-122页 |
| §3-1 高浓缩度抛光液低压力CMP工艺优化 | 第81-87页 |
| §3-1-1 实验 | 第81-82页 |
| §3-1-2 结果与讨论 | 第82-87页 |
| §3-2 低压力下不同尺寸铜线条平坦化效果的研究 | 第87-97页 |
| §3-2-1 实验 | 第87-93页 |
| §3-2-2 结果与讨论 | 第93-97页 |
| §3-3 由低压力较高磨料CMP转变到低压力低磨料CMP的理论基础——Cu/SiO_2催化体系在低压低磨料CMP中的应用 | 第97-105页 |
| §3-3-1 实验 | 第97-98页 |
| §3-3-2 结果与讨论 | 第98-105页 |
| §3-4 由低压力较高磨料CMP转变到低压力低磨料CMP的理论证明——催化反应对低压低磨料铜模CMP的影响 | 第105-109页 |
| §3-4-1 实验 | 第105-106页 |
| §3-4-2 结果与讨论 | 第106-109页 |
| §3-5 低压低磨料CMP过程中铜布线表面平坦化机理研究 | 第109-121页 |
| §3-5-1 低压低磨料CMP模型 | 第109-118页 |
| §3-5-2 低压低磨料平坦化机理 | 第118-119页 |
| §3-5-3 平坦化结果与讨论 | 第119-121页 |
| §3-6 本章小结 | 第121-122页 |
| 第四章 低压力低磨料粗抛工艺和机理探索—— 基于微孔道内抛光液平均流速和粗糙材料表面化学反应的铜膜CMP过程中多相化学反应的研究 | 第122-148页 |
| §4-1 不含添加剂条件下低压低磨料CMP工艺初步探索 | 第123-139页 |
| §4-1-1 实验 | 第123页 |
| §4-1-2 结果与讨论 | 第123-139页 |
| §4-2 低压力低磨料CMP过程中铜膜表面两相化学反应的研究 | 第139-147页 |
| §4-2-1 实验机理 | 第139-141页 |
| §4-2-2 实验 | 第141-142页 |
| §4-2-3 结果与讨论 | 第142-147页 |
| §4-3 本章小结 | 第147-148页 |
| 第五章 低压力低磨料精抛工艺和机理探索 ——基于腐蚀抑制剂对铜膜表面复合化学反应两段式分割现象的重现效应的铜互连线碟形坑高度的控制 | 第148-170页 |
| §5-1 实验 | 第148-149页 |
| §5-2 化学反应模型 | 第149-154页 |
| §5-2-1 OX浓度为固定值时的化学反应模型 | 第149-150页 |
| §5-2-2 CA浓度为固定值时的化学反应模型 | 第150-154页 |
| §5-3 结果与讨论 | 第154-168页 |
| §5-3-1 铜膜反应速率研究 | 第154-163页 |
| §5-3-2 IODH的控制 | 第163-168页 |
| §5-3-3 CI对IODH的影响 | 第168页 |
| §5-4 本章小结 | 第168-170页 |
| 第六章 结论 | 第170-173页 |
| §6-1 结论 | 第170-171页 |
| §6-2 创新点 | 第171-173页 |
| 参考文献 | 第173-182页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第182-184页 |
| 致谢 | 第184页 |
