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基于磷化铟工艺的人工磁导体片上天线设计

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-10页
第1章 绪论第10-14页
   ·60GHz 通信的相关研究背景第10-11页
   ·60GHz 片上天线的研究现状第11页
   ·人工磁导体技术的研究背景及研究意义第11-12页
   ·磷化铟工艺发展第12-13页
   ·论文的主要工作内容第13-14页
第2章 天线的理论基础第14-21页
   ·前言第14页
   ·辐射方向图第14-15页
   ·辐射功率密度第15页
   ·辐射强度第15-16页
   ·天线效率第16页
   ·方向性第16-17页
   ·天线增益第17页
   ·带宽第17-18页
   ·极化第18-19页
     ·电磁波的极化第18-19页
     ·极化效率第19页
     ·交叉极化第19页
   ·输入阻抗第19-21页
第3章 磷化铟工艺下的片上天线第21-26页
   ·磷化铟工艺第21-22页
   ·基于磷化铟工艺的片上偶极子天线设计第22-25页
   ·小结第25-26页
第4章 人工磁导体的研究第26-50页
   ·前言第26-27页
   ·人工磁导体(AMC)结构及其工作原理第27-39页
     ·人工磁导体同向反射特性形成机理第27-29页
     ·蘑菇型高阻抗表面第29-32页
     ·UC-PBG 结构第32-35页
     ·频率选择表面第35-39页
   ·基于磷化铟工艺的人工磁导体设计第39-49页
     ·十字形人工磁导体结构的设计第39-43页
     ·正六边形人工磁导体第43-47页
     ·方形贴片人工磁导体结构第47-49页
   ·结论第49-50页
第5章 加载人工磁导体的片上天线研究第50-58页
   ·前言第50页
   ·基于十字形的人工磁导体的片上天线的设计(整个 M1 层)第50-54页
   ·在偶极子天线下方加载十字形人工磁导体结构第54-55页
   ·天线下方未加载人工磁导体结构第55-57页
   ·小结第57-58页
第6章 总结与展望第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
附录第65页

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