| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·半导体火工品 | 第14-17页 |
| ·半导体火工品简介 | 第14页 |
| ·半导体桥的发火原理 | 第14-16页 |
| ·国外研究进展 | 第16-17页 |
| ·国内研究进展 | 第17页 |
| ·多晶硅薄膜的性质 | 第17-19页 |
| ·掺杂工艺 | 第19-20页 |
| ·半导体火工桥光刻工艺 | 第20-23页 |
| ·半导体火工桥光刻工艺流程 | 第21-22页 |
| ·光刻胶的选择 | 第22页 |
| ·曝光方式 | 第22页 |
| ·刻蚀及去胶 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 多晶硅薄膜的制备及其性能分析 | 第24-39页 |
| ·硅基底的氧化层 | 第24-30页 |
| ·氧化层的作用 | 第24-25页 |
| ·氧化的机理 | 第25-27页 |
| ·氧化层的制备 | 第27-30页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第30-33页 |
| ·多晶硅薄膜的生长机理 | 第30-31页 |
| ·多晶硅薄膜制备常用的方法 | 第31-32页 |
| ·LPCVD 制备多晶硅薄膜 | 第32-33页 |
| ·多晶硅薄膜的分析方法 | 第33-34页 |
| ·原子力显微镜 | 第33页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第33-34页 |
| ·薄膜厚度的测量—台阶法 | 第34页 |
| ·电流-电压（Current-Voltage; I-V）特性测试 | 第34页 |
| ·多晶硅薄膜的性能分析 | 第34-38页 |
| ·多晶硅薄膜的表面形貌 | 第35-36页 |
| ·多晶硅薄膜的 XRD 图谱 | 第36-37页 |
| ·多晶硅薄膜的厚度 | 第37-38页 |
| ·多晶硅薄膜的电学特性 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 化学气相沉积（CVD）扩磷工艺 | 第39-51页 |
| ·掺杂工艺 | 第39-43页 |
| ·高温扩散 | 第39-42页 |
| ·离子注入 | 第42-43页 |
| ·原位掺杂 | 第43页 |
| ·扩散的基本原理 | 第43-46页 |
| ·杂质的扩散方式 | 第43-44页 |
| ·菲克（Fick）扩散定律 | 第44-45页 |
| ·恒定表面源与有限表面源扩散 | 第45-46页 |
| ·CVD 扩磷工艺 | 第46-49页 |
| ·实验设备 | 第46-47页 |
| ·实验原料 | 第47页 |
| ·CVD 扩磷实验 | 第47-49页 |
| ·影响扩散的因素 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 扩磷参数对硅基底性能的影响及分析 | 第51-63页 |
| ·单晶硅基底扩磷前后的表征 | 第51-58页 |
| ·扩磷单晶硅基底的表面形貌表征 | 第51-53页 |
| ·扩磷单晶硅基底的电学特性表征 | 第53-57页 |
| ·扩磷单晶硅基底的 X 射线光电子能谱分析表征 | 第57-58页 |
| ·多晶硅薄膜扩磷前后的表征 | 第58-62页 |
| ·扩磷多晶硅薄膜的表面形貌表征 | 第58-59页 |
| ·扩磷多晶硅薄膜的电学特性表征 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67-68页 |