RF MEMS机电性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究动态 | 第10-14页 |
| ·RF MEMS开关速度 | 第10-11页 |
| ·分布式MEMS传输线移相器的偏置电压 | 第11-12页 |
| ·RF MEMS电容开关的功率处理能力 | 第12页 |
| ·MEMS圆盘谐振器的动态电阻 | 第12-14页 |
| ·主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 缩短RF MEMS开关释放时间的阻尼法 | 第16-31页 |
| ·释放时间理论 | 第16-21页 |
| ·下拉时间和释放时间 | 第16-17页 |
| ·梁的机械等效模型 | 第17-19页 |
| ·机械等效模型的释放时间 | 第19-20页 |
| ·缩短释放时间的阻尼法 | 第20-21页 |
| ·增加气体压膜阻尼的顶梁设计 | 第21-25页 |
| ·顶梁结构及其机械等效模型 | 第21-23页 |
| ·顶梁开关动态特性仿真分析 | 第23-25页 |
| ·外加静电力阻碍振动的电压控制方法 | 第25-30页 |
| ·机械等效模型 | 第26-27页 |
| ·不同偏置电压作用下开关动态特性仿真分析 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 单偏置电压多位DMTL移相器 | 第31-40页 |
| ·DMTL移相器理论 | 第31-33页 |
| ·DMTL移相器结构 | 第31-32页 |
| ·相移的计算 | 第32-33页 |
| ·弹性系数不同的梁 | 第33-34页 |
| ·单偏置电压移相器的设计与仿真分析 | 第34-39页 |
| ·下拉电压不同的梁 | 第34-37页 |
| ·单偏置电压三梁DMTL移相器 | 第37页 |
| ·单偏置电压四梁DMTL移相器 | 第37-38页 |
| ·梁的选取原则 | 第38页 |
| ·残余应力和工艺误差对相位偏移的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 具有静电激励MAM电容的DMTL开关 | 第40-46页 |
| ·理论和设计 | 第40-42页 |
| ·仿真和结果 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 缩短MEMS圆盘谐振器缝隙的电极移动法 | 第46-58页 |
| ·原理 | 第46-49页 |
| ·振动模态和串联动态电阻 | 第46-48页 |
| ·具有悬置电极的圆盘谐振器结构 | 第48-49页 |
| ·设计 | 第49-53页 |
| ·圆盘的谐振频率 | 第49页 |
| ·波纹梁的弹性系数 | 第49-50页 |
| ·电极移动后的有效缝隙宽度 | 第50-52页 |
| ·预防圆盘接触短路的设计 | 第52-53页 |
| ·吸合电压的计算 | 第53页 |
| ·工艺流程 | 第53-54页 |
| ·仿真分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结束语 | 第58-60页 |
| ·研究结论 | 第58-59页 |
| ·工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |
