基于40nm工艺的CMOS带隙基准源研究与设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究意义 | 第10页 |
| ·带隙基准源研究历史及现状 | 第10-12页 |
| ·研究内容 | 第12页 |
| ·论文组织结构 | 第12-14页 |
| 第二章 基准源概述 | 第14-18页 |
| ·基准源种类介绍 | 第14-16页 |
| ·性能指标 | 第16-17页 |
| ·精度 | 第16页 |
| ·温度系数 | 第16页 |
| ·输出噪声 | 第16-17页 |
| ·功耗 | 第17页 |
| ·电源电压抑制比(PSRR) | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 CMOS带隙基准源理论分析 | 第18-32页 |
| ·带隙基准电压源的基本理论 | 第18-21页 |
| ·负温度系数 | 第18-19页 |
| ·温度系数 | 第19-20页 |
| ·带隙基准电压的产生及由来 | 第20-21页 |
| ·传统带隙基准电压源 | 第21-25页 |
| ·Wildar带隙基准源 | 第21-22页 |
| ·Kujik带隙基源 | 第22-23页 |
| ·Brokaw带隙基准源 | 第23-24页 |
| ·CMOS带隙基准源 | 第24-25页 |
| ·高阶温度补偿方法 | 第25-31页 |
| ·利用电阻的温度特性 | 第25-27页 |
| ·VBE线性化法 | 第27-28页 |
| ·指数曲率补偿法 | 第28-30页 |
| ·性能比较 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 40nm工艺特性及带隙基准源设计 | 第32-53页 |
| ·40nm工艺介绍 | 第32-34页 |
| ·浅槽隔离 | 第32-33页 |
| ·阱临近效应 | 第33页 |
| ·OD长度效应 | 第33-34页 |
| ·OD间距效应 | 第34页 |
| ·Poly间距效应 | 第34页 |
| ·带隙基准电压源设计 | 第34-52页 |
| ·带隙基准电路总体组成结构 | 第34-35页 |
| ·带隙核心电路设计 | 第35-37页 |
| ·运算放大器设计 | 第37-42页 |
| ·启动电路的设计 | 第42-43页 |
| ·带隙基准电压源整体电路 | 第43-48页 |
| ·高阶补偿带隙基准源设计 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 版图设计 | 第53-62页 |
| ·设计规则 | 第53-54页 |
| ·模拟电路版图设计 | 第54-57页 |
| ·匹配性设计 | 第54-55页 |
| ·耦合 | 第55-56页 |
| ·寄生效应 | 第56页 |
| ·可靠性设计 | 第56-57页 |
| ·带隙基准源版图设计 | 第57-60页 |
| ·三极管的版图 | 第57-58页 |
| ·电阻的版图 | 第58-59页 |
| ·运放的版图 | 第59页 |
| ·带隙基准电路整体版图 | 第59-60页 |
| ·带隙基准源后仿真 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 基于斩波稳定的带隙基准电路 | 第62-68页 |
| ·运算放大器输入失调仿真 | 第62-63页 |
| ·斩波稳定基本原理 | 第63-64页 |
| ·频域分析 | 第63页 |
| ·时域分析 | 第63-64页 |
| ·斩波稳定带隙基准整体电路 | 第64-65页 |
| ·斩波稳定带隙基准电路仿真结果 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附件 | 第74页 |
