用于流水线A/D转换器的高精度BiCMOS基准源设计研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文研究的背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作和组织结构 | 第10-11页 |
| 第二章 基准电压源概述 | 第11-23页 |
| ·基准源性能指标介绍 | 第11页 |
| ·几种常见基准源结构 | 第11-15页 |
| ·电阻分压式基准源 | 第12页 |
| ·PN结及MOS等效PN结基准源 | 第12-13页 |
| ·自举基准 | 第13-14页 |
| ·XFET电压基准源 | 第14-15页 |
| ·带隙基准电压源理论基础 | 第15-19页 |
| ·负温度系数电压VBE | 第15-17页 |
| ·正温度系数电压?VBE | 第17-18页 |
| ·Robert Widlar带隙基准源 | 第18-19页 |
| ·带隙基准源的非线性温度补偿策略 | 第19-21页 |
| ·利用电阻的温度特性进行高阶温度补偿 | 第19-20页 |
| ·指数型温度补偿 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 基准源的结构选择 | 第23-33页 |
| ·电压求和模式带隙基准源 | 第24-27页 |
| ·传统电压求和模式带隙基准源 | 第24-25页 |
| ·输出端采用电阻二次分压的带隙基准源 | 第25-26页 |
| ·共源共栅带隙基准源 | 第26-27页 |
| ·电流求和模式基准源 | 第27-32页 |
| ·一阶补偿的电流求和模式基准源 | 第27-28页 |
| ·曲率补偿的电流求和模式基准源 | 第28-30页 |
| ·基于MOSFET的电流求和模式基准源 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 高精度基准电路设计 | 第33-53页 |
| ·设计工具及工艺简介 | 第33页 |
| ·设计思路 | 第33-35页 |
| ·基准源核心电路局部电压VDDL的设计 | 第35-36页 |
| ·PTAT电流模块设计 | 第36-43页 |
| ·PTAT电流产生电路设计 | 第36-39页 |
| ·运算放大器的设计 | 第39-43页 |
| ·CTAT电流模块设计 | 第43-46页 |
| ·CTAT电流产生原理 | 第43-44页 |
| ·CTAT电流产生电路设计 | 第44-46页 |
| ·启动和偏置电路 | 第46-48页 |
| ·引入启动电路的必要性 | 第46页 |
| ·启动和偏置电路的设计 | 第46-48页 |
| ·BiCMOS工艺电阻 | 第48-51页 |
| ·BiCMOS工艺电阻Spice模型 | 第48-49页 |
| ·BiCMOS工艺电阻分类 | 第49-51页 |
| ·电阻的选取 | 第51页 |
| ·电路整体架构 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 基准源性能仿真及核心模块版图设计 | 第53-61页 |
| ·基准源整体仿真及性能分析 | 第53-55页 |
| ·温度特性 | 第53页 |
| ·电源电压调整率 | 第53-54页 |
| ·电源电压抑制比 | 第54-55页 |
| ·基准源的启动时间 | 第55页 |
| ·基准源核心模块版图设计 | 第55-60页 |
| ·集成电路版图设计考虑因素 | 第55-57页 |
| ·基准源核心模块版图设计 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |
