| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·研究的目的和意义 | 第7-8页 |
| ·4H-SiC外延材料中的缺陷 | 第8-13页 |
| ·分子动力学在材料模拟中的应用 | 第13页 |
| ·国内外4H-SiC外延材料缺陷分子动力学模拟现状 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 位错及分子动力学的基本理论 | 第17-33页 |
| ·前言 | 第17页 |
| ·位错的基本理论 | 第17-22页 |
| ·分子动力学 | 第22-28页 |
| ·位错的表征方法 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 4H-SiC外延材料中位错的研究 | 第33-45页 |
| ·前言 | 第33页 |
| ·堆垛层错（SFs）的形成及其行为的研究 | 第33-39页 |
| ·堆垛层错(SFs)的形成 | 第33-37页 |
| ·堆垛层错(SFs)的形为及其影响 | 第37-39页 |
| ·微管（MPs）的位错测定及其计算 | 第39-42页 |
| ·利用X-ray计算外延层中微管引起的形变 | 第39-41页 |
| ·4H-SiC外延层中微管的结构分析 | 第41-42页 |
| ·螺旋位错TSDs的形貌及影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 SiC位错的分子动力学模拟研究 | 第45-57页 |
| ·前言 | 第45页 |
| ·模型建立 | 第45-48页 |
| ·4H-SiC点阵晶胞结构的建立 | 第45-47页 |
| ·4H-SiC结构位错的建立 | 第47-48页 |
| ·计算方法 | 第48-50页 |
| ·从头计算分子动力学方法 | 第48-50页 |
| ·CASTEP | 第50页 |
| ·模拟结果的分析和讨论 | 第50-55页 |
| ·第一性原理计算结果的讨论方法 | 第50-52页 |
| ·4H-SiC局部位错模拟计算结果的讨论 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57页 |
| ·本论文的不足和展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第65-66页 |