| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·射频LDMOS 器件的发展 | 第10-13页 |
| ·射频LDMOS 电容特性 | 第13-15页 |
| ·射频SOI LDMOS 功率器件 | 第15-17页 |
| ·本论文的工作 | 第17-18页 |
| ·论文的创新点 | 第18页 |
| ·论文章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 射频功率LDMOS 器件结构与性能仿真 | 第19-30页 |
| ·器件结构 | 第19-21页 |
| ·器件电学特性 | 第21-27页 |
| ·高频等效模型 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第三章 射频功率LDMOS 槽形漂移区结构优化设计 | 第30-44页 |
| ·结构与分析 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·匹配电路的设计 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 n 埋层PSOI 结构射频功率LDMOS 的输出特性 | 第44-67页 |
| ·器件结构 | 第44-45页 |
| ·输出特性 | 第45-51页 |
| ·几种拓展结构的优化设计 | 第51-59页 |
| ·具体实施方式 | 第59-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第73-74页 |