6H-SiC单晶缺陷表征和电参数测试技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·背景 | 第7-9页 |
| ·本课题的选题和意义 | 第9-11页 |
| 第二章 碳化硅材料的性质 | 第11-17页 |
| ·碳化硅材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·碳化硅材料的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·碳化硅材料的电学特性 | 第13-15页 |
| ·碳化硅材料的光学性质 | 第15-17页 |
| 第三章 碳化硅单晶的生长和相关工艺 | 第17-27页 |
| ·碳化硅单晶生长 | 第17-21页 |
| ·Acheson法 | 第17页 |
| ·Lely方法 | 第17-18页 |
| ·籽晶升华法 | 第18-21页 |
| ·碳化硅的氧化、掺杂和光刻工艺 | 第21-24页 |
| ·SiC的氧化 | 第21-22页 |
| ·SiC的掺杂 | 第22-23页 |
| ·光刻 | 第23-24页 |
| ·欧姆接触 | 第24-27页 |
| ·金属-半导体接触基本参数 | 第24-25页 |
| ·欧姆接触 | 第25-27页 |
| 第四章 6H-SiC单晶的缺陷表征技术 | 第27-35页 |
| ·SiC单晶缺陷形成机理 | 第27-29页 |
| ·位错 | 第27-28页 |
| ·微管缺陷 | 第28-29页 |
| ·6H-SiC单晶缺陷的腐蚀和显示技术 | 第29-35页 |
| ·缺陷腐蚀技术 | 第29-31页 |
| ·缺陷显示技术 | 第31-35页 |
| 第五章 6H-SiC单晶电参数测试技术 | 第35-47页 |
| ·霍耳效应 | 第35-37页 |
| ·欧姆接触电极制备 | 第37-39页 |
| ·Au/NiCr和Au/Ni欧姆接触比较 | 第37-38页 |
| ·Au/NiCr欧姆接触电极制备 | 第38-39页 |
| ·掺氮6H-SiC单晶低温霍耳测试研究 | 第39-47页 |
| ·霍耳测试实验 | 第39页 |
| ·实验结果分析 | 第39-46页 |
| ·测试结论 | 第46-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 研究生期间的成果 | 第57-58页 |
