| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·ZnO 材料研究的意义与现状 | 第7-9页 |
| ·ZnO 薄膜材料的制备方法 | 第9-12页 |
| ·三元材料 Mg_xZn_(1-x)O的性质与现阶段研究的进展 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 实验设备与样品的表征技术 | 第15-31页 |
| ·附加等离子体增强MOCVD 系统的设计 | 第15-19页 |
| ·MOCVD 生长ZnO 与 Mg_xZn_(1-x)O薄膜源材料的选择 | 第19-20页 |
| ·样品分析和表征技术 | 第20-31页 |
| ·晶体质量测试技术 | 第20-22页 |
| ·表面形貌测试技术 | 第22-24页 |
| ·光学特性测试技术 | 第24-28页 |
| ·电学特性测试技术 | 第28-31页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的生长、特性及退火研究 | 第31-45页 |
| ·ZnO 薄膜生长的衬底选择 | 第31-32页 |
| ·ZnO 薄膜在蓝宝石衬底上的生长 | 第32页 |
| ·ZnO 薄膜生长条件的优化 | 第32-35页 |
| ·生长温度的优化 | 第32-34页 |
| ·氧气流量的优化 | 第34-35页 |
| ·ZnO 薄膜的特性研究 | 第35-38页 |
| ·ZnO 薄膜的结晶特性研究 | 第35页 |
| ·ZnO 薄膜的表面形态特性研究 | 第35-36页 |
| ·ZnO 薄膜的发光特性研究 | 第36-37页 |
| ·ZnO 薄膜的电学特性研究 | 第37-38页 |
| ·退火对ZnO 薄膜质量的影响 | 第38-45页 |
| ·氮气条件下退火对ZnO 薄膜质量的影响 | 第38-40页 |
| ·氧气条件下退火对 ZnO 薄膜质量的影响 | 第40-41页 |
| ·退火对 ZnO 薄膜的结晶特性影响分析 | 第41-42页 |
| ·退火 ZnO 薄膜的发光特性影响分析 | 第42-44页 |
| ·退火对 ZnO 薄膜的电学特性影响分析 | 第44-45页 |
| 第四章 三元材料Mg_xZn_(1-x)O 的生长及特性研究 | 第45-55页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O 薄膜的生长方法 | 第45-46页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O 薄膜生长条件的优化 | 第46-53页 |
| ·生长温度的优化 | 第46页 |
| ·氧气流量的优化 | 第46-49页 |
| ·缓冲层厚度的优化 | 第49-53页 |
| ·优化条件下所生长的Mg_xZn_(1-x)O 薄膜的特性研究 | 第53-55页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O薄膜结晶特性研究 | 第53-54页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O 薄膜发光特性研究 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 摘要 | 第62-64页 |
| ABSTRACT | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 导师及作者简介 | 第68页 |
