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1.2kV碳化硅JBS器件HTRB可靠性测试与退化机理研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
符号对照表第15-16页
缩略语对照表第16-19页
第一章 绪论第19-27页
    1.1 4H-SiC材料的优势及应用第19-22页
        1.1.1 4H-SiC材料优势第19-21页
        1.1.2 4H-SiC功率二极管的应用第21-22页
    1.2 4H-SiC功率器件研究现状第22-25页
        1.2.1 4H-SiC功率器件的发展第22-23页
        1.2.2 4H-SiC功率二极管可靠性研究现状第23-25页
    1.3 论文主要工作与内容安排第25-27页
第二章 1.2kV 4H-SiC JBS器件的终端设计和芯片性能测试第27-45页
    2.1 碳化硅JBS器件工作原理第27-31页
        2.1.1 碳化硅JBS器件结构特点第27-29页
        2.1.2 器件电学输运特性第29-31页
    2.2 1.2kV 4H-SiC JBS器件仿真物理模型及参数第31-34页
        2.2.1 Sentaurus TC AD仿真软件介绍第31-32页
        2.2.2 器件物理模型及参数第32-34页
    2.3 1.2kV SiC JBS二极管场限环终端参数的仿真设计第34-40页
        2.3.1 S_1和N_r对均匀FLRs终端的4H-SiCJBS的影响第34-36页
        2.3.2 S_1和?S对非等间距FLRs终端4H-SiCJBS的影响第36-37页
        2.3.3 S_1和N_r对非等间距FLRs终端4H-SiCJBS的影响第37-38页
        2.3.4 S_1和W_r对非等间距FLRs终端4H-SiCJBS的影响第38-40页
    2.4 1.2kV 4H-SiC JBS器件流片及特性测试第40-43页
        2.4.1 器件制备工艺流程第40-41页
        2.4.2 器件特性测试与分析第41-43页
    2.5 本章小结第43-45页
第三章 碳化硅基1.2kV-JBS器件HTRB可靠性实验及退化机理研究第45-65页
    3.1 引言第45页
    3.2 HTRB可靠性实验平台搭建第45-48页
        3.2.1 实验仪器及实验平台搭建方案第45-47页
        3.2.2 待测1.2kV 4H-SiC JBS二极管器件样品特性表征第47-48页
    3.3 室温高压反偏应力可靠性测试及退化现象分析第48-59页
        3.3.1 室温高压反偏应力可靠性测试结果第48-52页
        3.3.2 实验结果初步分析第52-54页
        3.3.3 器件退化现象与机制分析第54-57页
        3.3.4 界面电荷填充机理第57-59页
    3.4 高温高压反偏应力可靠性测试与退化现象分析第59-63页
        3.4.1 HTRB可靠性测试第59页
        3.4.2 实验结果与分析第59-61页
        3.4.3 器件退化规律与机制分析第61-63页
    3.5 本章小结第63-65页
第四章 4H-SiCJBS二极管终端结构的改进与验证第65-75页
    4.1 碳化硅1.2kV-JBS终端结构设计的改进第65-70页
        4.1.1 减小场限环间距来降低4H-SiCJBS二极管对正电荷敏感性第65-66页
        4.1.2 增加场限环数量来降低4H-SiCJBS二极管对负电荷敏感性第66-68页
        4.1.3 改进芯片的结构参数第68-70页
    4.2 改进芯片的测试与验证第70-73页
        4.2.1 改进芯片的制备工艺流程第70页
        4.2.2 流片后静态测试结果分析第70-71页
        4.2.3 改进芯片的室温反偏应力实验与结果分析第71-72页
        4.2.4 改进芯片的HTRB反偏应力实验与结果分析第72-73页
    4.3 本章小结第73-75页
第五章 总结与展望第75-77页
    5.1 总结第75-76页
    5.2 展望第76-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-85页
作者简介第85-86页

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