| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体激光器的发展历程 | 第11页 |
| 1.3 激光产生的基本条件 | 第11-16页 |
| 1.3.1 激光器的基本结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 增益介质的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3.3 光学谐振腔 | 第15页 |
| 1.3.4 光的放大自发辐射 | 第15-16页 |
| 1.4 电泵浦有机激光器的研究 | 第16-17页 |
| 1.4.1 金属电极的吸收损耗 | 第16页 |
| 1.4.2 有机半导体材料的载流子迁移率较低 | 第16-17页 |
| 1.4.3 三线态激子的积聚 | 第17页 |
| 1.5 本论文的设计思路与主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 本论文实验方法及测试手段 | 第19-30页 |
| 2.1 主要实验材料 | 第19-22页 |
| 2.1.1 发光材料的基本信息 | 第19-21页 |
| 2.1.2 有机溶剂的基本信息 | 第21页 |
| 2.1.3 薄膜样品衬底的基本信息 | 第21-22页 |
| 2.2 测试样品的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.1 清洁工作以及溶液配制 | 第22页 |
| 2.2.2 薄膜器件的制备 | 第22-23页 |
| 2.3 有机薄膜样品物理特性的表征 | 第23-24页 |
| 2.3.1 膜厚的测量 | 第23页 |
| 2.3.2 样品表面形貌的测量 | 第23-24页 |
| 2.4 有机薄膜样品光物理特性的表征 | 第24-26页 |
| 2.4.1 吸收光谱与荧光光谱的测试 | 第24-26页 |
| 2.4.2 荧光效率与荧光寿命的测试 | 第26页 |
| 2.5 薄膜样品光增益特性的测试 | 第26-29页 |
| 2.5.1 放大自发辐射(ASE)特性的测试 | 第27-28页 |
| 2.5.2 光学净增益和损耗系数的测试 | 第28页 |
| 2.5.3 光学稳定性的测试 | 第28页 |
| 2.5.4 DFB激光测试 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于聚硅杂芴系蓝光材料激光性能的研究 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 蓝光材料薄膜样品的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.1 纯蓝光有机薄膜样品 | 第30-31页 |
| 3.2.2 二元共混有机薄膜样品 | 第31页 |
| 3.3 薄膜样品的光物理特性的表征 | 第31-38页 |
| 3.3.1 吸收光谱和荧光光谱 | 第31-32页 |
| 3.3.2 薄膜样品的ASE特性 | 第32-36页 |
| 3.3.3 PSF-Cz薄膜器件的增益损耗系数 | 第36-37页 |
| 3.3.4 PSF-Cz一维DFB激光器件的基本特性 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于PCDTBT的近红外聚合物激光器高效光学增益的研究 | 第39-54页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 共混薄膜器件的制备 | 第39-42页 |
| 4.2.1 薄膜样品的制备 | 第40-41页 |
| 4.2.2 柔性DFB光栅的压印 | 第41-42页 |
| 4.3 二元共混(F8BT-PCDTBT)薄膜光物理特性的表征 | 第42-47页 |
| 4.3.1 共混薄膜样品的吸收光谱和荧光光谱 | 第42-43页 |
| 4.3.2 有机薄膜样品的瞬态吸收(TA)光谱 | 第43-46页 |
| 4.3.3 共混薄膜的荧光(PL)量子效率和寿命 | 第46-47页 |
| 4.3.4 共混薄膜的表面形貌 | 第47页 |
| 4.4 共混薄膜光增益特性的表征 | 第47-53页 |
| 4.4.1 二元共混(F8BT-PCDTBT)薄膜的ASE特性 | 第47-49页 |
| 4.4.2 三元共混(F8BT-P3HT-PCDTBT)薄膜的ASE特性 | 第49-50页 |
| 4.4.3 二元共混薄膜的光学净增益和损耗系数 | 第50-51页 |
| 4.4.4 二元共混薄膜的光学稳定性 | 第51-52页 |
| 4.4.5 二元共混薄膜的折射率以及DFB激光性能 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 钙钛矿材料放大自发辐射特性的研究 | 第54-62页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 钙钛矿薄膜的制备工艺 | 第55-56页 |
| 5.2.1 溶液配制 | 第55页 |
| 5.2.2 薄膜的制备 | 第55-56页 |
| 5.3 钙钛矿薄膜膜厚的控制 | 第56-57页 |
| 5.4 CH_3NH_3PbI_3薄膜的吸收光谱以及荧光光谱的表征 | 第57页 |
| 5.5 CH_3NH_3PbI_3薄膜的放大自发辐射特性 | 第57-58页 |
| 5.6 探究CH_3NH_3PbI_3薄膜ASE阈值的影响因素 | 第58-60页 |
| 5.6.1 衬底对ASE阈值的影响 | 第58-59页 |
| 5.6.2 薄膜的制备工艺对ASE阈值的影响 | 第59-60页 |
| 5.6.3 泵浦光束的波长对薄膜ASE阈值的影响 | 第60页 |
| 5.7 混卤钙钛矿(CH_3NH_3PbI_(3-x)Br_x)薄膜ASE峰位的调节 | 第60-61页 |
| 5.8 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的文章 | 第68-69页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
