| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 半导体材料 | 第14-15页 |
| 1.2 磁性材料 | 第15-16页 |
| 1.3 自旋电子学 | 第16-22页 |
| 1.3.1 半金属 | 第18-20页 |
| 1.3.2 稀磁半导体 | 第20页 |
| 1.3.3 铁磁(亚铁磁)半导体 | 第20-22页 |
| 1.4 应力和电场调控 | 第22-25页 |
| 1.5 论文选题依据和结构 | 第25-26页 |
| 第二章 理论基础 | 第26-36页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第26-28页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第27页 |
| 2.1.3 交换关联近似 | 第27-28页 |
| 2.2 晶体的力学性质 | 第28-31页 |
| 2.2.1 晶体的基态结构参数 | 第28-30页 |
| 2.2.2 应力与应变 | 第30-31页 |
| 2.3 第一性原理实现程序 | 第31-36页 |
| 2.3.1 WIEN2K程序包 | 第31-34页 |
| 2.3.2 VASP程序包 | 第34-36页 |
| 第三章 双轴应力调控六方相CrTe | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 计算参数 | 第37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-45页 |
| 3.3.1 CrTe基态性质 | 第37-38页 |
| 3.3.2 CrTe的双轴应力调控 | 第38-42页 |
| 3.3.3 CrTe的半金属性质和自旋极化率 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-48页 |
| 第四章 双轴压应力调控金红石结构CrO_2 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 计算参数 | 第48-49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-59页 |
| 4.3.1 CrO_2的晶体结构相变 | 第49-51页 |
| 4.3.2 CrO_2的电子结构相变 | 第51-57页 |
| 4.3.3 机理 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 电场调控下TcO_2/TiO_2异质结的电子结构与磁性相变 | 第60-70页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 计算细节 | 第60-61页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第61-68页 |
| 5.3.1 电场诱导的磁性相变 | 第61-62页 |
| 5.3.2 电场对晶体电子结构的影响 | 第62-64页 |
| 5.3.3 电场对晶体结构的影响 | 第64-67页 |
| 5.3.4 机理讨论 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-88页 |
| 个人简历 | 第88-90页 |
| 发表文章目录 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |