| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 本论文研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第10-17页 |
| 1.2.1 超高速碰撞产生电磁特性的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.2 超高速碰撞电子元器件干扰效应的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 研究内容和结构安排 | 第17-18页 |
| 第2章 超高速碰撞形成的带电粒子的电荷分布特征 | 第18-31页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 超高速碰撞形成的带电粒子的电荷测试系统 | 第18-22页 |
| 2.3 实验结果分析 | 第22-30页 |
| 2.3.1 超高速碰撞形成的带电粒子的电荷随时间分布特征 | 第22-26页 |
| 2.3.2 超高度碰撞形成的带电粒子的电荷量分布特征 | 第26-29页 |
| 2.3.3 超高度碰撞形成的带电粒子的电荷分布模型 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 超高速碰撞形成的带电粒子对半导体器件的干扰机理分析 | 第31-50页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 半导体器件基本结构及其制作工艺 | 第31-35页 |
| 3.2.1 半导体器件基本结构 | 第31-34页 |
| 3.2.2 两种主要的半导体制作工艺 | 第34-35页 |
| 3.3 超高速碰撞形成的带电粒子对半导体器件的干扰机理研究 | 第35-49页 |
| 3.3.1 带电粒子产生的电磁场对半导体器件的干扰 | 第36-44页 |
| 3.3.2 带电粒子注入对半导体器件的干扰效应 | 第44-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 超高速碰撞对半导体器件的电磁干扰特征 | 第50-70页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 超高速碰撞产生电磁效应的实验测试系统 | 第50-57页 |
| 4.2.1 加载系统 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验环境分析 | 第51-53页 |
| 4.2.3 实验系统搭建 | 第53-57页 |
| 4.3 实验布局及其结果分析 | 第57-68页 |
| 4.3.1 正碰撞条件下芯片放置的角度区间对芯片造成的干扰研究 | 第57-60页 |
| 4.3.2 超高速碰撞对不同制造工艺芯片的影响规律 | 第60-62页 |
| 4.3.3 距离与半导体器件受干扰程度的关系研究 | 第62-64页 |
| 4.3.4 正碰撞条件下产生的电磁场对芯片的干扰研究 | 第64-66页 |
| 4.3.5 超高速碰撞对芯片的累积干扰效应 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第5章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 本文总结 | 第70-71页 |
| 5.2 下一步研究工作展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
