| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO的结构和性质 | 第11-15页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 ZnO的基本性质 | 第13-15页 |
| 1.3 ZnO纳米结构的生长 | 第15-17页 |
| 1.4 ZnO纳米结构的应用 | 第17-25页 |
| 1.4.1 电子传输器件 | 第17-19页 |
| 1.4.2 光电子器件 | 第19-23页 |
| 1.4.3 机电耦合器(MEMS) | 第23-24页 |
| 1.4.4 化学传感器 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 样品制备和测试方法 | 第26-38页 |
| 2.1 ZnO纳米结构的生长方法—水热法 | 第26-27页 |
| 2.2 ZnO籽晶层的制备方法一 | 第27-30页 |
| 2.2.1 ZnO籽晶层的制备方法(Ⅰ)---离子束溅射法 | 第27-29页 |
| 2.2.2 ZnO籽晶层的制备方法(Ⅱ)---溶胶—凝胶法 | 第29-30页 |
| 2.2.3 ZnO籽晶层的制备方法(Ⅲ)---滴液—覆盖法 | 第30页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第30-38页 |
| 2.3.1 X--射线衍射术(XRD) | 第30-32页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| 2.3.3 X-射线光电子谱(XPS) | 第33-34页 |
| 2.3.4 荧光光谱(Photoluminescence)和电致发光谱(Electroluminescence) | 第34-36页 |
| 2.3.5 电流-电压特性测试及设备 | 第36-38页 |
| 第三章 ZnO纳米结构的生长和表征 | 第38-74页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 异质衬底材料对其上生长的ZnO纳米结构的影响 | 第38-45页 |
| 3.2.1 SiO_2和Si衬底 | 第39-42页 |
| 3.2.2 Au衬底和Pt衬底 | 第42-44页 |
| 3.2.3 GaN衬底 | 第44-45页 |
| 3.3 同质(ZnO籽晶层)衬底材料对其上生长的ZnO纳米结构的影响 | 第45-72页 |
| 3.3.1 ZnO纳米结构在ZnO籽晶层上的生长机理 | 第46-47页 |
| 3.3.2 离子束溅射ZnO籽晶层 | 第47-59页 |
| 3.3.2.1 离子束籽晶层前期退火处理对其上ZnO纳米棒的影响 | 第48-54页 |
| 3.3.2.2 离子束籽晶层厚度对其上ZnO纳米棒的影响 | 第54-59页 |
| 3.3.3 ZnO纳米结构生长晶向的调控性 | 第59-63页 |
| 3.3.4 全溶液法(Ⅰ)-------溶胶-凝胶(Sol-gel)籽晶层法 | 第63-67页 |
| 3.3.5 全溶液法(Ⅱ)-------滴液-覆盖籽晶层法 | 第67-68页 |
| 3.3.6 纳米棒的图形化设计以及横向生长调控 | 第68-72页 |
| 3.3.6.1 离子束ZnO薄膜法 | 第69-70页 |
| 3.3.6.2 DMAB溶液法 | 第70-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 n-ZnO纳米棒/p-Si结构 | 第74-98页 |
| 4.1 引言 | 第74页 |
| 4.2 n-ZnO纳米棒/p-Si异质结结构的电流传输特性 | 第74-77页 |
| 4.3 后期退火处理对n-ZnO纳米棒/p-Si异质结的影响 | 第77-85页 |
| 4.4 籽晶层厚度对n-ZnO纳米棒/p-Si异质结的影响 | 第85-90页 |
| 4.5 不同测试温度对n-ZnO纳米棒/p-Si结构的影响(I-V-T) | 第90-94页 |
| 4.6 单根ZnO纳米棒的电学特性 | 第94-96页 |
| 4.7 本章小结 | 第96-98页 |
| 第五章 n-ZnO纳米棒/p-GaN结构 | 第98-124页 |
| 5.1 引言 | 第98-99页 |
| 5.2 n-ZnO纳米棒/p-GaN发光二极管(LED) | 第99-107页 |
| 5.3 n-ZnO纳米膜/p-GaN发光二极管结构 | 第107-113页 |
| 5.4 Sol-gel籽晶层的n-ZnO纳米棒/p-GaN结构 | 第113-117页 |
| 5.5 n-ZnO纳米棒/玻璃结构 | 第117-119页 |
| 5.6 基于ZnO薄膜的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)结构 | 第119-123页 |
| 5.7 本章小结 | 第123-124页 |
| 第六章 总结 | 第124-128页 |
| 附录1:Sol-gel制备ZnO薄膜 | 第128-134页 |
| 附录2:莫特-甘尼定律(Mott-Gurney Law) | 第134-138页 |
| 附录3:复合-隧穿模型(Tunnelling-Recombination Model) | 第138-142页 |
| 附录4:ICP-PECVD低温(≤400℃)下制备高质量SiO_2薄膜 | 第142-150页 |
| 参考文献 | 第150-160页 |
| 攻读博士期间发表论文目录 | 第160-162页 |
| 致谢 | 第162-163页 |
