| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 互连的分类和降低互连延迟的必要性 | 第10-11页 |
| 1.3 铜互连的基本工艺和可靠性问题 | 第11-13页 |
| 1.3.1 铜互连的双大马士革工艺流程 | 第11-12页 |
| 1.3.2 铜引入集成电路互连存在问题 | 第12-13页 |
| 1.3.3 铜互连的发展状况 | 第13页 |
| 1.4 降低互连延迟的方法 | 第13-15页 |
| 1.4.1 采用具有较低电阻率的金属 | 第13-14页 |
| 1.4.2 低k 介质对延时的改善 | 第14页 |
| 1.4.3 插入缓冲器改善延迟 | 第14-15页 |
| 1.5 铜互连中形成空隙的不同工艺方案 | 第15-17页 |
| 1.5.1 化学气相淀积形成空隙 | 第15-16页 |
| 1.5.2 去除牺牲层材料形成空隙 | 第16-17页 |
| 1.6 本文研究的主要内容和意义 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 铜互连结构的设计和关键单项工艺实验 | 第22-48页 |
| 2.1 铜互连镂空结构的设计 | 第22-27页 |
| 2.2 铜互连镂空结构单项工艺 | 第27-46页 |
| 2.2.1 铜线条和通孔的掩膜电镀 | 第27-33页 |
| 2.2.2 铜线与牺牲层材料的化学机械抛光(CMP) | 第33-41页 |
| 2.2.3 铜阻挡层材料制备和测量 | 第41-46页 |
| 2.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 铜互连镂空结构的制备 | 第48-58页 |
| 3.1 铜互连镂空结构制备工艺流程 | 第48-49页 |
| 3.2 实验设备和实验条件 | 第49-50页 |
| 3.3 多层铜互连镂空结构的制备 | 第50-53页 |
| 3.4 多层结构的释放—牺牲层技术 | 第53-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 铜互连镂空结构的性能测试 | 第58-72页 |
| 4.1 测试设备和测试方法 | 第58-59页 |
| 4.2 测试结构的设计及制备 | 第59-61页 |
| 4.3 测试和模拟 | 第61-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74-75页 |