工艺波动对纳米尺度MOS集成电路性能影响模型与相关方法研究
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 1 绪论 | 第13-33页 |
| ·背景和意义 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·MOS器件纳米效应与工艺波动 | 第14-21页 |
| ·国内外研究发展现状 | 第21-30页 |
| ·国外研究发展现状 | 第21-29页 |
| ·国内研究发展现状 | 第29-30页 |
| ·论文的主要内容和结构安排 | 第30-33页 |
| 2 随机掺杂波动及对阈值电压影响模型 | 第33-49页 |
| ·IC制造工艺技术和掺杂工艺 | 第33-36页 |
| ·扩散工艺 | 第34-35页 |
| ·离子注入 | 第35-36页 |
| ·随机掺杂波动 | 第36-39页 |
| ·RDF引起阈值电压偏离统计模型 | 第39-48页 |
| ·MOS器件掺杂原子的概率密度分布 | 第39-43页 |
| ·阈值电压偏离标准差模型 | 第43-46页 |
| ·数据结果分析 | 第46-48页 |
| ·本章内容小结 | 第48-49页 |
| 3 工艺波动引起纳米MOS电流失配模型 | 第49-68页 |
| ·已有失配模型研究回顾 | 第49-53页 |
| ·简单的65nm MOSFET失配模型 | 第53-58页 |
| ·改进的ALPHA律模型 | 第53-56页 |
| ·实验数据和结果 | 第56-58页 |
| ·本节小结 | 第58页 |
| ·随机掺杂引起MOS电流失配模型 | 第58-67页 |
| ·掺杂原子统计分布及对阈值影响 | 第59-60页 |
| ·掺杂波动对有效迁移率的影响 | 第60-61页 |
| ·阈值偏差与有效迁移率偏差的关系 | 第61-63页 |
| ·随机掺杂波动引起电流失配模型 | 第63-67页 |
| ·本章小结和展望 | 第67-68页 |
| 4 CMOS电路性能影响模型 | 第68-84页 |
| ·模拟CMOS电路性能指标影响模型 | 第68-73页 |
| ·模拟电路性能指标相互关系及仿真模型 | 第68-71页 |
| ·实验数据和结果 | 第71-73页 |
| ·本节小结 | 第73页 |
| ·数字CMOS电路时延影响模型 | 第73-82页 |
| ·静态时序分析概述 | 第74页 |
| ·工艺波动下的统计静态时序分析 | 第74-76页 |
| ·随机掺杂波动下的时延变化解析模型 | 第76-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 5 IC工艺波动分析和控制方法 | 第84-95页 |
| ·统计分析方法 | 第84-87页 |
| ·响应曲面法 | 第84-86页 |
| ·主成份分析法 | 第86-87页 |
| ·稳健设计方法 | 第87-89页 |
| ·神经网络方法 | 第89-90页 |
| ·神经网络稳健设计 | 第90-94页 |
| ·神经网络的数字逻辑稳健设计 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 6 论文总结和工作展望 | 第95-98页 |
| ·论文总结 | 第95-96页 |
| ·工作展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 附录 | 第110-121页 |
| 作者简介及在学期间取得的科研成果 | 第121页 |
