| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 太赫兹简介 | 第8-10页 |
| 1.2 太赫兹辐射源 | 第10-11页 |
| 1.3 太赫兹探测器 | 第11-12页 |
| 1.4 基于半导体场效应晶体管的太赫兹技术 | 第12-15页 |
| 1.5 半导体场效应晶体管太赫兹技术的应用 | 第15-17页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 基于非平衡格林函数的量子输运理论 | 第19-30页 |
| 2.1 格林函数 | 第19-20页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第20-23页 |
| 2.3 非平衡格林函数在量子输运中的应用 | 第23-25页 |
| 2.4 非平衡格林函数中有限元方法的应用 | 第25-29页 |
| 2.4.1 快速非耦合模式空间 | 第26-28页 |
| 2.4.2 薛定谔方程的有限元方法离散化 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 有限元方法下的 MOSFET 建模 | 第30-43页 |
| 3.1 双栅双材料 MOSFET 的模型结构 | 第30-32页 |
| 3.2 基于非平衡格林和泊松方程的迭代方法 | 第32-34页 |
| 3.3 DMG-MOSFET 仿真结果与讨论 | 第34-42页 |
| 3.3.1 DG-MOSFET 的弹道输运特性 | 第34-35页 |
| 3.3.2 SMG-MOSFET 和 DMG-MOSFET 的直流特性 | 第35-40页 |
| 3.3.3 SMG-MOSFET 和 DMG-MOSFET 的高频特性 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于硅场效应晶体管的太赫兹辐射建模 | 第43-56页 |
| 4.1 硅基场效应管晶体管太赫兹辐射和探测理论 | 第43-47页 |
| 4.2 硅基场效应管晶体管太赫兹的数值模拟算法 | 第47-49页 |
| 4.3 硅场效应晶体管太赫兹数值模拟讨论 | 第49-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 新型碳基场效应晶体管特性研究 | 第56-70页 |
| 5.1 碳纳米管和石墨烯的结构 | 第56-58页 |
| 5.2 新型碳纳米管场效应晶体管特性研究 | 第58-68页 |
| 5.2.1 LDDS-HMG-CNTFET 的模型 | 第59-60页 |
| 5.2.2 LDDS-HMG-CNTFET 的电流特性 | 第60-64页 |
| 5.2.3 LDDS-HMG-CNTFET 的尺寸缩小特性 | 第64-67页 |
| 5.2.4 主栅金属功函数ФM2不同对 LDDS-HMG-CNTFET 的影响 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第73-74页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
