| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 石墨烯与太赫兹科学 | 第10-14页 |
| 1.3 国内外对于石墨烯的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容和创新点 | 第16-18页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第18-27页 |
| 2.1 非平衡格林函数 | 第18-20页 |
| 2.2 Dyson 方程 | 第20-21页 |
| 2.3 Landauer-Büttiker 方程 | 第21-27页 |
| 第三章 石墨烯及其纳米条带结构的能带结构与电学特性 | 第27-35页 |
| 3.1 石墨烯的晶体结构与电学特性 | 第27-30页 |
| 3.2 石墨烯纳米条带的电学特性 | 第30-32页 |
| 3.3 石墨烯纳米条带场效应晶体管的高频特性与电学特性 | 第32-35页 |
| 第四章 新型 n-i-n 型石墨烯纳米条带场效应晶体管电学特性的研究 | 第35-43页 |
| 4.1 TMG-HALO 结构示意图及其制备 | 第35-36页 |
| 4.2 模型与讨论 | 第36-37页 |
| 4.3 TMG 结构对于传统的 GNRFETs（SMG）输运特性的影响 | 第37-39页 |
| 4.4 HALO 掺杂结构对于传统的 GNRFETs 性能的影响 | 第39页 |
| 4.5 TMG-HALO GNRFETs 的电子输运特性 | 第39-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 p-i-n 的石墨烯纳米条带场效应晶体管的输运特性与高频特性 | 第43-55页 |
| 5.1 TFETs 器件的结构及参数 | 第44-45页 |
| 5.2 计算模型与 TFETs 的工作原理 | 第45-46页 |
| 5.3 高 K 介电常数氧化物对于 TFETs 性能的影响 | 第46-50页 |
| 5.3.1 高 K 材料对于 TFETs 场效应晶体管输运特性的影响 | 第47页 |
| 5.3.2 异质栅氧化层隧穿场效应晶体管 HTFETs 输运特性的影响 | 第47-50页 |
| 5.4 线性掺杂结构（LD）对于 HTFETs 性能的影响 | 第50-51页 |
| 5.5 SL-HTFETs 的尺寸缩小特性 | 第51-52页 |
| 5.6 SL-HTFETs 高频特性的优化 | 第52-53页 |
| 5.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 纳米器件的太赫兹特性 | 第55-61页 |
| 6.1 模型与计算方法 | 第55-58页 |
| 6.2 计算结果与讨论 | 第58-60页 |
| 6.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第七章 总结与展望 | 第61-64页 |
| 7.1 总结 | 第61-62页 |
| 7.2 进一步工作方向 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第67-68页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
