| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 基于硅材料的场效应晶体管的研究进展 | 第8-10页 |
| 1.3 新型材料简介及其研究进展 | 第10-13页 |
| 1.4 新型结构器件的工艺 | 第13-16页 |
| 1.5 本文的主要内容和章节安排 | 第16-17页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第17-28页 |
| 2.1 非平衡格林函数理论 | 第17-18页 |
| 2.2 Landauer-Büttiker 方程 | 第18-24页 |
| 2.3 NEGF 的有限元方程 | 第24-28页 |
| 第三章 新型结构 Si-MOSFET 特性研究 | 第28-36页 |
| 3.1 器件结构 | 第28-29页 |
| 3.2 HMG 结构对 LDDS-HMG-MOSFET 静态特性的影响 | 第29-33页 |
| 3.3 LDDS 结构对 LDDS - HMG - MOSFET 静态特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 新型碳基场效应晶体管特性研究 | 第36-56页 |
| 4.1 新型结构 CNTFET 的特性研究 | 第36-44页 |
| 4.1.1 LDDS-HMG-MOSFET 的电流特性 | 第37-42页 |
| 4.1.2 LDDS-HMG-MOSFET 的开关特性 | 第42-44页 |
| 4.2 新型结构石墨烯场效应晶体管特性研究 | 第44-50页 |
| 4.2.1 DL-GNRFET 的静态特性 | 第46-49页 |
| 4.2.2 DL-GNRFET 的动态特性 | 第49页 |
| 4.2.3 栅长对 GNRFETs 特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 不同材料的场效应晶体管的特性比较 | 第50-54页 |
| 4.3.1 三种器件的静态特性比较 | 第51-52页 |
| 4.3.2 三种器件的动态特性比较 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 太赫兹探测理论研究 | 第56-71页 |
| 5.1 太赫兹简介 | 第56-58页 |
| 5.1.1 太赫兹的产生 | 第57-58页 |
| 5.1.2 太赫兹探测技术 | 第58页 |
| 5.2 场效应晶体管结构的太赫兹探测技术的发展 | 第58-61页 |
| 5.3 场效应晶体管太赫兹探测理论模型 | 第61-64页 |
| 5.4 场效应管晶体管太赫兹的数值模拟算法 | 第64-66页 |
| 5.5 模型结构及仿真结果 | 第66-70页 |
| 5.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第75-76页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
