| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 宽禁带半导体材料的发展 | 第14-15页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件的研究步伐 | 第15-18页 |
| 1.3 AlGaN/GaN MOSHEMT研究的意义 | 第18-20页 |
| 1.4 本文主要结构及工作安排 | 第20-22页 |
| 第二章 测试方法及模拟工具 | 第22-30页 |
| 2.1 X射线光电子能谱（XPS） | 第22-23页 |
| 2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第23页 |
| 2.3 原子力显微镜（AFM） | 第23-24页 |
| 2.4 范德堡霍尔效应测试（Hall） | 第24-26页 |
| 2.5 电容-电压测试（C-V） | 第26页 |
| 2.6 本文所用的仿真软件介绍 | 第26-28页 |
| 2.7 本章总结 | 第28-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN MOSHEMT器件概述 | 第30-44页 |
| 3.1 AlGaN/GaN异质结的极化理论 | 第30-34页 |
| 3.2 AlGaN/GaN MOSHEMT中的氧化电荷 | 第34-37页 |
| 3.3 AlGaN/GaN MOSHEMT的制造工艺 | 第37-43页 |
| 3.4 本章总结 | 第43-44页 |
| 第四章 Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSHEMT特性研究 | 第44-54页 |
| 4.1 实验材料的选取和处理 | 第44-45页 |
| 4.2 界面固定电荷对器件C-V特性的影响及其密度的计算 | 第45-48页 |
| 4.3 界面陷阱电荷对器件C-V特性的影响及其密度的计算 | 第48-50页 |
| 4.4 界面陷阱电荷对器件开关瞬态特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 本章总结 | 第52-54页 |
| 第五章 不同栅氧化层制备工艺的AlGaN/Ga N MOSHEMT特性研究 | 第54-60页 |
| 5.1 不同栅氧化层制备方法及器件工艺 | 第54-57页 |
| 5.2 不同栅氧化层处理方法对器件电学特性的影响 | 第57-59页 |
| 5.3 本章总结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-73页 |
| 1.基本情况 | 第70页 |
| 2.教育背景 | 第70页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70-73页 |
