| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2 Si IGBT器件结构的发展历程 | 第17-19页 |
| 1.3 p沟道SiC IGBT的发展历程及现状 | 第19-21页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 SiC IGBT的工作机理研究 | 第23-35页 |
| 2.1 SiC IGBT的基本结构 | 第23-24页 |
| 2.2 SiC IGBT的工作机理 | 第24-26页 |
| 2.3 SiC IGBT的工作特性 | 第26-31页 |
| 2.3.1 转移特性 | 第26-27页 |
| 2.3.2 输出特性 | 第27-29页 |
| 2.3.3 正向阻断击穿特性 | 第29-30页 |
| 2.3.4 开关特性 | 第30-31页 |
| 2.4 SiC IGBT的闩锁效应 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-35页 |
| 第三章 基于离子注入工艺的P沟道SiC IGBT器件工艺研究 | 第35-41页 |
| 3.1 传统SiC IGBT工艺流程 | 第35页 |
| 3.2 新型工艺制备流程 | 第35-36页 |
| 3.3 工艺制备步骤 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 SiC IGBT结构设计 | 第41-47页 |
| 4.1 衬底的选择 | 第41页 |
| 4.2 P-基区的参数设计 | 第41-43页 |
| 4.3 N阱区参数设计 | 第43-44页 |
| 4.4 N~+集电区与P~+缓冲层的设计 | 第44-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章P沟道SiC IGBT的器件特性仿真 | 第47-65页 |
| 5.1 器件仿真软件Sentaurus-TCAD介绍 | 第47-51页 |
| 5.1.1 三个基本方程 | 第47-48页 |
| 5.1.2 SiC材料物理模型 | 第48-51页 |
| 5.1.3 数值算法 | 第51页 |
| 5.2 转移特性分析 | 第51-54页 |
| 5.3 正向传输特性 | 第54-57页 |
| 5.4 击穿特性 | 第57-60页 |
| 5.5 开关特性 | 第60-61页 |
| 5.6 温度特性 | 第61-63页 |
| 5.7 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论和展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |