| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·气敏传感器介绍及现状分析 | 第8-9页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器的机理分析 | 第9-11页 |
| ·介孔材料 | 第11-13页 |
| ·介孔材料概述 | 第11页 |
| ·介孔材料合成 | 第11-13页 |
| ·本文选题依据及主要工作内容 | 第13-15页 |
| 第二章 氧化钨气敏传感器 | 第15-19页 |
| ·关于氧化钨的概述 | 第15-17页 |
| ·氧化钨晶体结构 | 第15-16页 |
| ·氧化钨的半导体特性 | 第16-17页 |
| ·氧化钨基气敏传感器研究现状和问题分析 | 第17页 |
| ·介孔结构的氧化钨气敏传感器 | 第17-19页 |
| 第三章 实验准备及分析手段 | 第19-28页 |
| ·工艺选择 | 第19页 |
| ·材料试剂仪器 | 第19-20页 |
| ·分析表征手段 | 第20-22页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第21页 |
| ·高分辨率透射电镜（HRTEM） | 第21-22页 |
| ·BET 比表面积测试 | 第22页 |
| ·气敏元件准备 | 第22-25页 |
| ·基片的准备 | 第22-23页 |
| ·叉指铂电极制备 | 第23-24页 |
| ·介孔氧化钨浆料制备与涂覆 | 第24-25页 |
| ·氧化钨湿薄膜热处理 | 第25页 |
| ·气敏性能测试 | 第25-28页 |
| 第四章 介孔结构 WO_3-SBA-15 基气敏元件制备与性能研究 | 第28-41页 |
| ·介孔结构 WO_3-SBA-15 的制备 | 第28-30页 |
| ·介孔氧化硅 SBA-15 模板制备 | 第28页 |
| ·介孔结构 WO_3-SBA-15 制备 | 第28-30页 |
| ·微结构表征分析 | 第30-36页 |
| ·介孔结构氧化硅 SBA-15 硬模板的微结构表征 | 第30-32页 |
| ·介孔结构 WO_3-SBA-15 的微结构表征 | 第32-36页 |
| ·介孔 WO_3-SBA-15 基敏感元件的气敏性能测试 | 第36-40页 |
| ·介孔 WO_3-SBA-15 基气敏元件的工作温度分析 | 第36-37页 |
| ·介孔 WO_3-SBA-15 基气敏元件的动态响应特性 | 第37-39页 |
| ·WO_3-SBA-15 基气敏元件的气体选择性 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 介孔结构 WO_3-KIT-6 基气敏元件制备与性能研究 | 第41-58页 |
| ·介孔结构 WO_3-KIT-6 的制备 | 第41-42页 |
| ·介孔结构氧化硅 KIT-6 硬模板的制备 | 第41页 |
| ·介孔结构 WO_3-KIT-6 的制备 | 第41-42页 |
| ·微结构表征与分析 | 第42-46页 |
| ·介孔氧化硅 KIT-6 模板的微结构表征 | 第42-44页 |
| ·介孔结构 WO_3-KIT-6 的表征分析 | 第44-46页 |
| ·WO_3-KIT-6 基气敏元件的气敏性能评价 | 第46-52页 |
| ·WO_3-KIT-6 基气敏元件的工作温度分析 | 第46-47页 |
| ·WO_3-KIT-6 基气敏元件的动态响应性能 | 第47-50页 |
| ·WO_3-KIT-6 基气敏元件的稳定性分析 | 第50页 |
| ·介孔 WO_3-KIT-6 基气敏元件的掺杂改性 | 第50-52页 |
| ·不同煅烧条件对介孔 WO_3-KIT-6 气敏材料的影响 | 第52-56页 |
| ·介孔 WO_3-SBA-15 与介孔 WO_3-KIT-6 对比分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·内容总结 | 第58-59页 |
| ·工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
