| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪言 | 第6-11页 |
| ·传感器综述 | 第6-7页 |
| ·气体传感器概述 | 第7-11页 |
| ·气敏传感器的分类与应用 | 第8页 |
| ·金属氧化物气敏传感器及其气敏机理 | 第8-11页 |
| 第二章 WO_3气敏传感器 | 第11-19页 |
| ·WO_3材料概述 | 第11-13页 |
| ·WO_3半导体性质 | 第11-12页 |
| ·基于 WO_3材料的气敏传感器研究现状及其主要的制作方法 | 第12-13页 |
| ·WO_3气敏传感器的气敏机理及其传感器结构 | 第13-17页 |
| ·常规 WO_3气敏传感器的气敏机理 | 第13-14页 |
| ·快速退火和常规退火对 WO_3薄膜表面的影响机理 | 第14-15页 |
| ·金属掺杂后的 WO_3薄膜气敏传感器的气敏机理 | 第15-17页 |
| ·电阻式气敏传感器的主要特性参数 | 第17-18页 |
| ·本课题研究内容 | 第18-19页 |
| 第三章 实验过程 | 第19-26页 |
| ·基于 AAM 的 WO_3多孔微阵列薄膜气敏元件的制备 | 第19-23页 |
| ·AAM 准备 | 第20页 |
| ·磁控溅射沉积 WO_3多孔微阵列薄膜 | 第20-22页 |
| ·退火处理 | 第22页 |
| ·被检测信号的引出 | 第22-23页 |
| ·WO_3多孔微阵列薄膜的金属掺杂 | 第23-24页 |
| ·样品的热退火处理 | 第24页 |
| ·样品的气敏性能测试 | 第24-25页 |
| ·样品微结构表征 | 第25-26页 |
| ·XRD 表征 | 第25页 |
| ·FESEM 表征 | 第25页 |
| ·AFM 表征 | 第25-26页 |
| 第四章 实验结果及分析 | 第26-56页 |
| ·氧化钨多孔薄膜的微结构表征 | 第26-32页 |
| ·X 射线衍射（XRD）测试 | 第26页 |
| ·SEM 分析 | 第26-30页 |
| ·AFM 表征 | 第30-32页 |
| ·WO_3多孔微阵列气敏薄膜的气敏性能的研究 | 第32-39页 |
| ·WO_3多孔微阵列气敏薄膜的最佳工作温度 | 第32-33页 |
| ·膜厚对 WO_3多孔微阵列薄膜气敏性能的影响 | 第33-36页 |
| ·孔特征对 WO_3多孔微阵列薄膜气敏性能的影响 | 第36-39页 |
| ·WO_3多孔微阵列薄膜的 NO_2选择性 | 第39页 |
| ·金属掺杂和退火条件对 WO_3多孔薄膜气敏性能的影响 | 第39-52页 |
| ·退火条件对 WO_3多孔薄膜气敏性能的影响 | 第39-41页 |
| ·快速退火温度对 WO_3多孔薄膜的气敏性能的影响 | 第41-45页 |
| ·掺杂对 WO_3多孔薄膜的气敏性能的影响 | 第45-47页 |
| ·掺杂对多孔 WO_3薄膜气敏性能的影响 | 第47-52页 |
| ·超高灵敏度的多孔 WO_3微阵列薄膜气敏传感器 | 第52-56页 |
| ·实验条件 | 第52-54页 |
| ·超高灵敏度的气敏传感器的稳定性 | 第54-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
