高压LDMOS射频功率晶体管结构设计及实验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·射频 LDMOS 功率晶体管发展趋势 | 第9-11页 |
| ·射频 LDMOS 功率晶体管研究现状 | 第11-13页 |
| ·射频 LDMOS 功率器件的研究意义 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 器件特性与优化方法 | 第15-25页 |
| ·LDMOS 器件基本特性 | 第15-21页 |
| ·击穿特性 | 第15-17页 |
| ·输出特性 | 第17页 |
| ·跨导 | 第17-18页 |
| ·寄生电容 | 第18-20页 |
| ·频率特性 | 第20-21页 |
| ·提高频率特性方法 | 第21-24页 |
| ·台阶栅结构 | 第21-22页 |
| ·喙栅结构 | 第22页 |
| ·屏蔽环结构 | 第22-23页 |
| ·双 LDD 结构 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 射频 LDMOS 器件工艺与结构优化设计 | 第25-46页 |
| ·器件结构设计 | 第26-27页 |
| ·器件工艺流程设计 | 第27-29页 |
| ·器件参数优化 | 第29-43页 |
| ·Pbase 区注入剂量优化 | 第29-33页 |
| ·漂移区长度优化 | 第33-37页 |
| ·漂移区注入剂量优化 | 第37-40页 |
| ·多晶栅长度优化 | 第40-43页 |
| ·静电保护方案 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 器件热效应研究 | 第46-54页 |
| ·自热效应研究 | 第46-50页 |
| ·阈值电压 | 第46-47页 |
| ·器件输出特性 | 第47-48页 |
| ·频率特性 | 第48-50页 |
| ·热载流子效应研究 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 版图设计与测试结果 | 第54-62页 |
| ·器件版图设计 | 第54-56页 |
| ·实验测试结果 | 第56-61页 |
| ·直流特性 | 第57-60页 |
| ·频率特性 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
