摘要 | 第1-15页 |
ABSTRACT | 第15-23页 |
符号表 | 第23-24页 |
第一章 绪论 | 第24-44页 |
·前言 | 第24-25页 |
·标准电学方法探测器件温度 | 第25-34页 |
·标电结温的物理意义 | 第25-31页 |
·标准电学方法的缺点 | 第31-34页 |
·热谱分析方法研究的必要性和意义 | 第34-36页 |
·研究背景和现状 | 第36-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
本章参考文献 | 第40-44页 |
第二章 晶体管热谱曲线 | 第44-53页 |
·前言 | 第44-45页 |
·分析方法 | 第45-47页 |
·结果与讨论 | 第47-50页 |
·热谱曲线图 | 第47-48页 |
·一维温度分布图 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
本章参考文献 | 第51-53页 |
第三章 小电流过趋热效应 | 第53-70页 |
·前言 | 第53页 |
·模型的建立 | 第53-55页 |
·基于线性结温分布上的验证 | 第55-60页 |
·趋热现象 | 第55-56页 |
·小电流的过趋热现象 | 第56-60页 |
·基于实际结温分布的验证 | 第60-65页 |
·本章小结 | 第65-67页 |
本章参考文献 | 第67-70页 |
第四章 晶体管热谱分析方法 | 第70-90页 |
·前言 | 第70-72页 |
·相关理论与分析 | 第72-80页 |
·热谱分析方法理论基础 | 第72-74页 |
·本底数据 | 第74-75页 |
·晶体管等温环模型 | 第75-76页 |
·热谱分析基本算法 | 第76-80页 |
·试验结果与分析 | 第80-86页 |
·本章小结 | 第86-88页 |
本章参考文献 | 第88-90页 |
第五章 半导体器件结温的实时测量和实时热谱分析的研究 | 第90-99页 |
·前言 | 第90-91页 |
·基本原理 | 第91-92页 |
·测量、加热电流合二为一 | 第91页 |
·本底数据和温敏系数 | 第91-92页 |
·实验分析与讨论 | 第92-95页 |
·实时热谱分析的研究 | 第95-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
本章参考文献 | 第97-99页 |
第六章 温敏元器件的热谱分析方法 | 第99-116页 |
·前言 | 第99-101页 |
·温度传感器所测量温度的物理意义 | 第101-102页 |
·温度传感器的热谱分析方法 | 第102-105页 |
·半导体器件的热谱分析方法 | 第105-112页 |
·肖特基势垒的小电流过趋热效应 | 第105-108页 |
·等效晶体管模型 | 第108-112页 |
·本章小结 | 第112-114页 |
本章参考文献 | 第114-116页 |
第七章 结论 | 第116-121页 |
本文研究主要结果及创新点说明 | 第116-119页 |
未来研究工作展望 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-123页 |
博士期间发表论文及获奖情况 | 第123-125页 |
论文发表情况 | 第123-124页 |
在校期间获奖励情况 | 第124-125页 |
附A:双极晶体管结温和热阻测试标准(建议草案) | 第125-133页 |
·结温和热阻 | 第125-133页 |
·结温和热阻的意义 | 第125页 |
·结温测量原理 | 第125-126页 |
·热阻测试原理 | 第126-127页 |
·测试热阻的方法 | 第127-129页 |
·瞬态热阻的测试 | 第129-130页 |
·安工作区的确定 | 第130-133页 |
附B:Measurement Standard of Thermal Resistance and Junction Temperature for Bipolar Transistor(Suggestion Draft) | 第133-144页 |
·Junction temperature and thermal resistance | 第133-144页 |
·Significance of junction temperature and thermal resistance | 第133-134页 |
·Principle of junction temperature measurement | 第134-135页 |
·The principle of the thermal resistance measurement | 第135-136页 |
·Measuring method of thermal resistance | 第136-139页 |
·Measurement of transient thermal resistance | 第139-141页 |
·Application to the determination of the safe operating area | 第141-144页 |
附C:英文论文发表情情况 | 第144-152页 |
1.A Novel Thermal Spectrum Analysis Method for Reliability Analysis of Semiconductor Devices | 第144-148页 |
2.Excessive thermotaxis effect of low current in PN junction | 第148-152页 |
Figure Captions | 第152-157页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第157页 |