| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 1．1 课题目的和意义 | 第8-10页 |
| 1．2 论文各部分的主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 标准CMOS工艺及高压器件结构 | 第11-27页 |
| 2．1 影响器件击穿电压的主要因素 | 第11-16页 |
| 2．1．1 器件的击穿特性 | 第12页 |
| 2．1．2 雪崩击穿的理论推导 | 第12-16页 |
| 2．2 标准CMOS工艺流程简介 | 第16-18页 |
| 2．3 常见的高压器件结构 | 第18-27页 |
| 2．3．1 Vertical MOSFET（VMOS、VUMOS、VDMOS） | 第19-22页 |
| 2．3．2 Double Diffused Drain MOSFET（DDD） | 第22-23页 |
| 2．3．3 Lateral DMOSFET（LDMOS） | 第23-24页 |
| 2．3．4 Smart Voltageextension（SVX） | 第24-27页 |
| 第三章 实验软件介绍 | 第27-36页 |
| 3．1 工艺模拟软件简介 | 第27-28页 |
| 3．2 ISETCAD介绍 | 第28-35页 |
| 3．2．1 软件包组成 | 第29页 |
| 3．2．2 功能模块说明 | 第29-35页 |
| 3．3 本文工作环境 | 第35-36页 |
| 第四章 兼容标准CMOS工艺的高压MOS器件 | 第36-60页 |
| 4．1 实验目的及方案分析 | 第36-38页 |
| 4．1．1 实验目的 | 第36-37页 |
| 4．1．2 几种方案对比 | 第37-38页 |
| 4．2 实验过程、结果及分析 | 第38-59页 |
| 4．2．1 高压栅氧流程的插入 | 第38-41页 |
| 4．2．2 DDDS Structure MOSFET | 第41-49页 |
| 4．2．3 SVX | 第49-57页 |
| 4．2．4 LDMOS结构 | 第57-59页 |
| 4．3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64-77页 |
| 本人简历 | 第77页 |
