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甚大规模集成电路铜布线工艺中化学机械抛光技术的研究

第一章 前言第1-21页
 §1-1 平坦化方法和化学机械抛光第8-13页
  1-1-1 几种平坦化技术及其用途第8-9页
  1-1-2 化学机械抛光第9-13页
   1-1-2-1 CMP出现的历史背景第9-10页
   1-1-2-2 CMP技术概况第10-13页
 §1-2 集成电路中的两种金属布线第13-19页
  1-2-1 铝布线第13-14页
  1-2-2 铜布线第14-17页
   1-2-2-1 铜布线发展历史第14-15页
   1-2-2-2 Novell公司的12步大马士革工序第15-17页
  1-2-3 国际上两种抛光液第17-19页
   1-2-3-1 酸性浆料第17-18页
   1-2-3-2 碱性浆料第18-19页
 §1-3 铜布线研究现状第19-20页
  1-3-1 铜布线研究现状与前沿问题第19-20页
  1-3-2 抛光液研究现状与前沿问题第20页
 §1-4 本论文研究工作的内容及意义第20-21页
第二章 铜多层布线CMP浆料成份的选择及原理第21-31页
 §2-1 研究定位——碱性抛光液第21页
 §2-2 磨料的选择第21-26页
  2-2-1 以Al_2O_3为磨料第21-25页
   2-2-1-1 分散剂含量对磨料的悬浮作用试验第22-23页
   2-2-1-2 浆料中其它试剂的加入对悬浮剂悬浮作用的影响第23-25页
  2-2-2 以硅溶胶做磨料第25-26页
 §2-3 氧化剂的选择第26-27页
 §2-4 有机碱的选择第27-31页
  2-4-1 有机碱在CMP过程中的作用及原理第27-28页
  2-4-2 不同磨料和络合剂的对比试验第28-31页
第三章 多层布线铜CMP动力学研究第31-40页
 §3-1 试验设备第31-33页
 §3-2 铜CMP过程机理研究与分析第33-38页
  3-2-1 化学作用在铜CMP过程中的作用第33-36页
  3-2-2 机械作用在铜CMP过程中的作用第36-38页
   3-2-2-1 磨料的影响第36页
   3-2-2-2 抛光布及背膜对全局平面化的影响第36-38页
 §3-3 铜多层布线两步抛光工艺第38-40页
  3-3-1 初抛第38页
  3-3-2 终抛第38-39页
  3-3-3 适用于初抛的FA/O抛光液在生产线上的试验第39页
  3-3-4 抛光后清洗第39-40页
第四章 多层布线工艺中铜抛光液的优化第40-47页
 §4-1 发热试验第40-42页
  4-1-1 以羟胺为络合剂的抛光液配比第40-41页
  4-1-2 以三乙醇胺为络合剂的抛光液配比第41-42页
 §4-2 上机试验第42-45页
 §4-3 附加试剂对抛光速率的影响第45-47页
  4-3-1 附加试剂简介第45-46页
  4-3-2 对比试验第46-47页
第五章 铜布线中阻挡层的CMP抛光的研究第47-51页
 §5-1 阻挡层材质的选择第47-48页
 §5-2 阻挡层Ta层的CMP抛光液的研究第48-51页
  5-2-1 终抛抛光机理第49页
  5-2-2 终抛试验第49-51页
第六章 抛光后清洗第51-59页
 §6-1 清洗原理第51-54页
  6-1-1 颗粒吸附状态第51-53页
  6-1-2 优先吸附模型第53-54页
 §6-2 微电子工业中几种清洗方法第54-58页
  6-2-1 湿法化学清洗第54-55页
  6-2-2 干法化学清洗第55-56页
  6-2-3 刷片清洗法第56页
  6-2-4 兆声清洗法第56-57页
  6-2-5 激光清洗法第57页
  6-2-6 颗粒去除技术存在的问题及发展趋势第57-58页
 §6-3 ULSI多层布线铜抛光中的清洗第58-59页
第七章 结论第59-61页
参考文献第61-65页
附录A第65-67页
致谢第67-68页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第68页

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