第一章 前言 | 第1-21页 |
§1-1 平坦化方法和化学机械抛光 | 第8-13页 |
1-1-1 几种平坦化技术及其用途 | 第8-9页 |
1-1-2 化学机械抛光 | 第9-13页 |
1-1-2-1 CMP出现的历史背景 | 第9-10页 |
1-1-2-2 CMP技术概况 | 第10-13页 |
§1-2 集成电路中的两种金属布线 | 第13-19页 |
1-2-1 铝布线 | 第13-14页 |
1-2-2 铜布线 | 第14-17页 |
1-2-2-1 铜布线发展历史 | 第14-15页 |
1-2-2-2 Novell公司的12步大马士革工序 | 第15-17页 |
1-2-3 国际上两种抛光液 | 第17-19页 |
1-2-3-1 酸性浆料 | 第17-18页 |
1-2-3-2 碱性浆料 | 第18-19页 |
§1-3 铜布线研究现状 | 第19-20页 |
1-3-1 铜布线研究现状与前沿问题 | 第19-20页 |
1-3-2 抛光液研究现状与前沿问题 | 第20页 |
§1-4 本论文研究工作的内容及意义 | 第20-21页 |
第二章 铜多层布线CMP浆料成份的选择及原理 | 第21-31页 |
§2-1 研究定位——碱性抛光液 | 第21页 |
§2-2 磨料的选择 | 第21-26页 |
2-2-1 以Al_2O_3为磨料 | 第21-25页 |
2-2-1-1 分散剂含量对磨料的悬浮作用试验 | 第22-23页 |
2-2-1-2 浆料中其它试剂的加入对悬浮剂悬浮作用的影响 | 第23-25页 |
2-2-2 以硅溶胶做磨料 | 第25-26页 |
§2-3 氧化剂的选择 | 第26-27页 |
§2-4 有机碱的选择 | 第27-31页 |
2-4-1 有机碱在CMP过程中的作用及原理 | 第27-28页 |
2-4-2 不同磨料和络合剂的对比试验 | 第28-31页 |
第三章 多层布线铜CMP动力学研究 | 第31-40页 |
§3-1 试验设备 | 第31-33页 |
§3-2 铜CMP过程机理研究与分析 | 第33-38页 |
3-2-1 化学作用在铜CMP过程中的作用 | 第33-36页 |
3-2-2 机械作用在铜CMP过程中的作用 | 第36-38页 |
3-2-2-1 磨料的影响 | 第36页 |
3-2-2-2 抛光布及背膜对全局平面化的影响 | 第36-38页 |
§3-3 铜多层布线两步抛光工艺 | 第38-40页 |
3-3-1 初抛 | 第38页 |
3-3-2 终抛 | 第38-39页 |
3-3-3 适用于初抛的FA/O抛光液在生产线上的试验 | 第39页 |
3-3-4 抛光后清洗 | 第39-40页 |
第四章 多层布线工艺中铜抛光液的优化 | 第40-47页 |
§4-1 发热试验 | 第40-42页 |
4-1-1 以羟胺为络合剂的抛光液配比 | 第40-41页 |
4-1-2 以三乙醇胺为络合剂的抛光液配比 | 第41-42页 |
§4-2 上机试验 | 第42-45页 |
§4-3 附加试剂对抛光速率的影响 | 第45-47页 |
4-3-1 附加试剂简介 | 第45-46页 |
4-3-2 对比试验 | 第46-47页 |
第五章 铜布线中阻挡层的CMP抛光的研究 | 第47-51页 |
§5-1 阻挡层材质的选择 | 第47-48页 |
§5-2 阻挡层Ta层的CMP抛光液的研究 | 第48-51页 |
5-2-1 终抛抛光机理 | 第49页 |
5-2-2 终抛试验 | 第49-51页 |
第六章 抛光后清洗 | 第51-59页 |
§6-1 清洗原理 | 第51-54页 |
6-1-1 颗粒吸附状态 | 第51-53页 |
6-1-2 优先吸附模型 | 第53-54页 |
§6-2 微电子工业中几种清洗方法 | 第54-58页 |
6-2-1 湿法化学清洗 | 第54-55页 |
6-2-2 干法化学清洗 | 第55-56页 |
6-2-3 刷片清洗法 | 第56页 |
6-2-4 兆声清洗法 | 第56-57页 |
6-2-5 激光清洗法 | 第57页 |
6-2-6 颗粒去除技术存在的问题及发展趋势 | 第57-58页 |
§6-3 ULSI多层布线铜抛光中的清洗 | 第58-59页 |
第七章 结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
附录A | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第68页 |