| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| §1.1 引言 | 第10-11页 |
| §1.2 SiGe合金材料的特性及SiGe HBT | 第11-16页 |
| §1.2.1 SiGe合金材料特性 | 第11-13页 |
| §1.2.2 SiGe材料以及SiGe/Si异质结能带结构 | 第13-14页 |
| §1.2.3 SiGe HBT的优势和应用前景 | 第14-15页 |
| §1.2.4 SiGe合金薄膜的生长技术和方法 | 第15-16页 |
| §1.3 应变硅特性及应用 | 第16-18页 |
| §1.4 本论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 硅薄膜的同质外延生长 | 第19-27页 |
| §2.1 CVD生长系统介绍 | 第19-20页 |
| §2.2 样品的生长前预处理及薄膜生长过程 | 第20-21页 |
| §2.3 硅薄膜的CVD同质外延生长 | 第21-26页 |
| §2.3.1 具有SiO_2掩膜的硅衬底的制作 | 第21-22页 |
| §2.3.2 温度对硅薄膜生长质量的影响 | 第22-24页 |
| §2.3.3 硅薄膜生长速率及驰豫时间 | 第24-26页 |
| §2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 应变Si/SiGe/Si异质结材料的生长 | 第27-36页 |
| §3.1 SiGe合金的生长机理 | 第27-28页 |
| §3.2 SiGe/Si异质结材料的生长 | 第28-31页 |
| §3.2.1 生长温度对SiGe合金薄膜质量的影响 | 第28-30页 |
| §3.2.2 GeH_4流量对SiGe合金薄膜质量的影响 | 第30-31页 |
| §3.3 应变Si薄膜的外延生长 | 第31-35页 |
| §3.3.1 SiGe/Si异质结对其上外延硅薄膜的应变影响 | 第31-33页 |
| §3.3.2 硅薄膜厚度对应变的影响 | 第33-35页 |
| §3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 电容电压法表征异质结材料结构 | 第36-51页 |
| §4.1 电容电压法测试原理 | 第36-39页 |
| §4.1.1 PN结电容 | 第36-37页 |
| §4.1.2 半导体材料的电容电压表征 | 第37-38页 |
| §4.1.3 MOS结构的电容电压表征 | 第38-39页 |
| §4.2 C-V法表征SiGe/Si异质结材料 | 第39-45页 |
| §4.2.1 C-V测试方法及汞探针测试仪的特点 | 第39-40页 |
| §4.2.2 C-V表征SiGe/Si异质结材料 | 第40-45页 |
| §4.3 不同温度生长的SiGe/Si异质结材料的C-V表征 | 第45-47页 |
| §4.4 C-V表征Strained-Si/SiGe/Si多异质结材料 | 第47-50页 |
| §4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 硕士期间发表论文 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
